一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法技术

本发明专利技术涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明专利技术解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
，具体涉及。
技术介绍
氮化镓微波单片集成电路(GalliumNitride Monolithic Microwave IntegratedCircuit,GaN MMIC)的整个制作过程，需要经过十几个工艺步骤，其中有源器件 GaN HEMT的制作涉及欧姆接触源漏金属的蒸发及合金、有源区的隔离、栅金属的蒸发、场板金属的蒸发以及Si3N4介质的钝化等关键工艺步骤，而无源RLC器件则需要TaN电阻的溅射、互连引出端的金属布线、MIM电容中Si3N4介质的淀积以及电镀桥的制作等。其中，很多工艺可以为有源及无源器件所共用，例如二次介质Si3N4的淀积既可作为GaN HEMT的钝化层，又可作为MIM电容中上下极板间的介质。在GaN MMIC工艺中，当有源器件HEMT的布线金属(同时也是MIM电容的下极板金属)和钝化介质层(同时也是MIM电容的中间介质层) 制作完毕之后，需要在有源器件HEMT上制作金属场板，以提高器件和电路的整体性能。具体来说，场板金属可以有效调制栅漏间的电场分布，使得电场强度最大值区域向漏端扩张， 消除栅边缘的电场尖峰，提高器件的击穿电压；场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庞磊，陈晓娟，陈中子，罗卫军，袁婷婷，蒲颜，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：