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本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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