【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具体而言，涉及。
技术介绍
以蓝宝石(Al2O3)作为衬底的半导体外延片主要适用于中小尺寸芯片的制备，主要应用领域为小尺寸液晶背光源、数码显示、玩具、仪表等，但是由于以蓝宝石为衬底的半导体外延片制备的中大尺寸芯片由于存在电流拥挤、不易散热造成发光效率低的问题，导致很难将其作为照明用芯片使用，而目前照明所需的中大尺寸芯片主要依赖于进口的以SiC作为衬底的半导体外延片，使得照明器件的成本大大增高。因此，考虑到以蓝宝石为衬底的半导体外延片的成本较低，如果能够提高其散热效果、光输出功率将会大大降低照明器件的制作成本。申请号为201210426804.9的中国专利申请将低温浅量子阱分为三部分，并采用沿生长方向逐步减小该三部分的铟含量和量子阱垒层的厚度的技术方案实现了提高发光二极管的发光效率的目的。
技术实现思路
本专利技术旨在提供，以解决现有技术中以蓝宝石为衬底的半导体外延片制备的中大尺寸芯片的发光效率低的问题。为了实现上述目的，根据 本专利技术的一个方面，提供了一种量子阱半导体，包括从内向外依次设置的衬底、浅量子阱层、多量子阱发光层，浅量子阱层包括...
【技术保护点】
一种量子阱半导体，包括从内向外依次设置的衬底（1）、浅量子阱层（3）、多量子阱发光层（4），其特征在于，所述浅量子阱层（3）包括：至少四个InGaN层（31），靠近所述衬底（1）的一个InGaN层（31）为第一InGaN层；GaN层（32），与所述InGaN层（31）等数量且交叉叠置，靠近所述衬底（1）的一个GaN层（32）为第一GaN层，所述第一GaN层设置在所述衬底（1）与所述第一InGaN层之间，且所述第一InGaN层中所述In的含量为1.95E+19～2.7E+19cm?3，所述第一InGaN层之外的各所述InGaN层（31）中In的含量大于3.0E+19cm?3且...
【技术特征摘要】
1.一种量子阱半导体，包括从内向外依次设置的衬底(I)、浅量子阱层(3)、多量子阱发光层(4)，其特征在于，所述浅量子阱层(3)包括: 至少四个InGaN层(31)，靠近所述衬底(I)的一个InGaN层(31)为第一 InGaN层； GaN层(32 )，与所述InGaN层(31)等数量且交叉叠置，靠近所述衬底(I)的一个GaN层(32)为第一 GaN层，所述第一 GaN层设置在所述衬底(I)与所述第一 InGaN层之间，且所述第一 InGaN层中所述In的含量为1.95E+19 2.7E+19cnT3，所述第一 InGaN层之外的各所述InGaN层(31)中In的含量大于3.0E+19cm_3且沿远离所述衬底(I)的方向递增。2.根据权利要求1所述的量子阱半导体，其特征在于，所述第一InGaN层之外的各所述InGaN层(31)中In的含量沿远离所述衬底(I)的方向等量递增。3.根据权利要求1或2所述的量子阱半导体，其特征在于，所述InGaN层(31)和所述GaN层(32 )的个数为四，所述第一 InGaN层之外的所述InGaN层(31)中所述In的含量沿远离所述衬底(I)的方向依次为 3.3E+19 3.9E+19cnT3、3.9E+19 4.5E+19/cnT3、4.5E+19 5.4E+19cm 3。4.根据权利要求3所述的量子阱半导体，其特征在于，各所述GaN层(32)中掺杂有硅且所述硅的含量为0.85E+18 1.15E+18cnT3。5.根据权利要求4所述的量子阱半导体，其特征在于，各所述GaN层(32)的厚度为35 45nm,各所述InGaN层(31)的厚度为0.7 0.9nm。6.根据权利要求1所述的量子阱半导体，其特征在于，所述量子阱半导体还包括: 在所述衬底(I)上朝所述 浅量子阱层(3)延伸方向依次设置有GaN缓冲层(20)、无掺杂GaN层(21)、掺杂GaN层(22)、N型电子阻挡层(23)、障壁保护层(24);以及 由所述多量...
【专利技术属性】
技术研发人员：伍毅龙，谭桂英，王新建，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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