【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种有源区沟槽分散式排列的半导体元件结构，特别是指一种有源区沟槽分散地排列于外延层的半导体元件结构。
技术介绍
一直以来，萧特基二极管是相当重要的功率元件，其利用金属-半导体接面作为萧特基势垒而产生整流的效果，其可高速切换以及整流的特性，使其普遍应用于高速功率交换的元件、数字计算机以及输出整流器等。然而，当前半导体元件结构所形成的萧特基二极管中，最大的缺点是其反向击穿偏压较低，且反向漏电流较大，不仅如此，其反向电流会随着温度升高而增加，致使有失控的问题，因而萧特基二极管于实际使用时的反向偏压必需限制比其额定值小很多，使得萧特基二极管实际上的应用受到许多限制。在上述问题之下，许多改良的半导体元件结构因而设计出来，藉以增加反向击穿电压及降低漏电流，较为常见的即为注入硼离子于终止区(BoronlmplantTermination;BIT)的改良结构,这样的结构在逆向偏压情况下，由于终止区可缓和有源区边端沟槽电场，因而增加反向击穿电压并且降低漏电流，而该半导体元件结构中其有源区沟槽排列设计在顺向偏压的情况下，仅有较低的电流输出特性，以致于需要较高的顺向偏压来达...
【技术保护点】
一种有源区沟槽分散式排列的半导体元件结构，包含：?一半导体基板，以一第一掺杂浓度掺杂有一第一型半导体杂质；?一外延层，形成于该半导体基板上，以一第二掺杂浓度掺杂有该第一型半导体杂质，并且开设有多个有源区沟槽，所述多个有源区沟槽分散地排列于该外延层；以及?一有源区介电层，覆设于所述多个有源区沟槽的底部及侧壁；?其中，所述多个有源区沟槽于该外延层的表面上的形状为一四边形，且该第一掺杂浓度大于该第二掺杂浓度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄智强，黄朝新，
申请(专利权)人：台湾半导体股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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