可挠性有源元件阵列基板以及有机电激发光元件制造技术

一种可挠性有源元件阵列基板以及有机电激发光元件，该阵列基板包括可挠性基板、有源元件阵列层、阻挡层以及多个像素电极。有源元件阵列层配置于可挠性基板上。阻挡层覆盖有源元件阵列层。阻挡层包括多层有机材料层以及多层无机材料层。有机材料层与无机材料层交替堆叠于有源元件阵列层上。像素电极配置于阻挡层上，且各像素电极与有源元件阵列层电性连接。本发明专利技术的可挠性有源元件阵列基板可具有可挠性以及低水汽穿透率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有源元件阵列基板，且特别涉及一种可挠性有源元件阵列基板以及有机电激发光元件。
技术介绍
有机发光装置具有轻薄、自发光、低消耗功率、不需背光源、无视角限制及高反应速率等优良特性，已被视为平面显示器的明日之星。现今，为了使有机发光装置运用的领域更广，已开发出可挠式有机发光装置。显示器是否具备可挠性，取决于其所使用的基板材质。当显示器所使用的基板为硬质基板(rigid substrate)时，显示器将不具有可挠性。反之，当显示器所使用的基板为可挠性基板(如塑胶基板)时，显示器便具有良好的可挠性。一般来说，以无机材料(例如为氮化硅)作为晶体管的钝化保护层(passivation layer)的技术已相当成熟且广泛应用于各式显示器中。然而，在制作可挠式有机发光装置的制造工艺中，由于无机材料的可挠性不佳，以致晶体管在经过弯曲之后，钝化保护层会产生裂缝(crack)。如此一来，水汽会经由裂缝渗入而影响薄膜晶体管的电性。若以有机材料作为钝化保护层，则可拥有较佳的可挠性。然而，有机材料的阻水能力较无机材料差，因此水汽容易渗入薄膜晶体管而影响其电性。此外，相较于一般常见的硬质基板(例如玻璃基板)，使用塑胶基板作为可挠性基板时，水汽容易从塑胶基板的方向渗入薄膜晶体管中而影响电性，因此，如何提升可挠性有源元件阵列基板的可靠性 (reliability)实为目前亟欲解决的议题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种可挠性有源元件阵列基板以及有机电激发光元件，其具有较佳的可靠性。本专利技术提出一种可挠性有源元件阵列基板，其包括可挠性基板、有源元件阵列层、 阻挡层以及多个像素电极。有源元件阵列层配置于可挠性基板上。阻挡层覆盖有源元件阵列层。阻挡层包括多层有机材料层以及多层无机材料层。有机材料层与无机材料层交替堆叠于有源元件阵列层上。像素电极配置于阻挡层上，且各像素电极与有源元件阵列层电性连接。本专利技术提出一种有机电激发光元件，包括所述的可挠性有源元件阵列基板、有机电激发光层以及电极层。有机电激发光层配置于可挠性有源元件阵列基板上。电极层配置于有机电激发光层上。电极层与像素电极电性绝缘。在本专利技术的一实施例中，上述的阻挡层的水汽穿透率(Water Vapor Transmission Rate, WVTR)10-2g/m2 · Day。在本专利技术的一实施例中，上述的可挠性有源元件阵列基板中，位于最底层的有机材料层与有源元件阵列层接触。在本专利技术的一实施例中，上述的可挠性有源元件阵列基板中，位于最底层的无机材料层与该有源元件阵列层接触。在本专利技术的一实施例中，上述的可挠性有源元件阵列基板还包括内阻挡层，配置于可挠性基板与有源元件阵列层之间。在本专利技术的一实施例中，上述的可挠性有源元件阵列基板还包括第一外阻挡层。 所述第一外阻挡层配置于可挠性基板的外表面上，其中内阻挡层与第一外阻挡层分别位于可挠性基板的两对侧。在本专利技术的一实施例中，上述的可挠性有源元件阵列基板还包括第二外阻挡层， 配置于第一外阻挡层的外表面上，其中第一外阻挡层位于第二外阻挡层与可挠性基板之间。在本专利技术的一实施例中，上述的可挠性有源元件阵列基板还包括第二外阻挡层以及离形层(de-bonding layer)。第二外阻挡层配置于第一外阻挡层的外表面上，其中第一外阻挡层位于第二外阻挡层与可挠性基板之间。离形层粘着于第一外阻挡层与第二外阻挡层之间。在本专利技术的一实施例中，上述的可挠性有源元件阵列基板还包括离形层。离形层配置于第一外阻挡层的外表面上。基于上述，本专利技术将由多层有机材料层以及多层无机材料层交替堆叠而成的阻挡层整合于可挠性有源元件阵列基板的制作中，因此，本专利技术的可挠性有源元件阵列基板可具有可挠性以及低水汽穿透率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术第一实施例的可挠性有源元件阵列基板的剖面示意图。图2是本专利技术第二实施例的可挠性有源元件阵列基板的剖面示意图。图3是本专利技术第三实施例的可挠性有源元件阵列基板的剖面示意图。图4是本专利技术第四实施例的可挠性有源元件阵列基板的剖面示意图。图5是本专利技术第五实施例的可挠性有源元件阵列基板的剖面示意图。图6为本专利技术的一实施例的有机电激发光元件的剖面示意图。图7是本专利技术另一实施例的有机电激发光元件的剖面示意图。图8是本专利技术的实施例中有机电激发光元件的对数电流-电压关系图。主要附图标记说明100a、100b、100c、IOOcU IOOe 可挠性有源元件阵列基板110:可挠性基板IlOa:内表面110b、160b 外表面120:有源元件列阵层122 栅极124 栅极绝缘层126 沟道层128a 源极128b 漏极130:阻挡层130S:开口132 有机材料层134 无机材料层140:像素电极15O:内阻挡层160 第一外阻挡层170 第二外阻挡层180 离形层200a、200b 有机电激发光元件210 有机电激发光层220 电极层具体实施例方式图1为本专利技术第一实施例的可挠性有源元件阵列基板IOOa的剖面示意图。请参考图1，本实施例的可挠性有源元件阵列基板IOOa包括可挠性基板110、有源元件阵列层 120、阻挡层130以及像素电极140。有源元件阵列层120配置于可挠性基板110之上。阻挡层130覆盖有源元件阵列层120。阻挡层130包括多层有机材料层132以及多层无机材料层134。有机材料层132与无机材料层134交替堆叠于有源元件阵列层120上。像素电极140配置于阻挡层130之上，且像素电极140与有源元件阵列层120电性连接。可挠性基板110具有内表面IlOa以及外表面110b。可挠性基板110例如是有机基板、薄金属基板或是合金基板。以有机基板为例，本实施例可使用聚酰亚胺基板、聚碳酸酯基板、聚苯二甲酸酯基板、聚奈二甲酸醇酯基板、聚丙烯基板、聚乙烯基板、聚苯乙烯基板或上述聚合物衍生物的基板。有源元件阵列层120配置于可挠性基板110的内表面IlOa上。在本实施例中，有源元件阵列层120例如是薄膜晶体管阵列。有源元件阵列层120包括栅极122、绝缘层124、 沟道层126、源极128a以及漏极128b。栅极122配置在可挠性基板110的内表面IlOa上。 绝缘层1 配置在可挠性基板110的内表面IlOa上，并且覆盖栅极122。沟道层1 配置在绝缘层1 之上，沟道层126的材料例如为非晶硅(amorphous silicon)。源极128a与漏极128b覆盖绝缘层IM与沟道层1 且于沟道层1 上彼此分离。然而，本专利技术不限于此，在其他实施例中，有源元件阵列层120可以是有机薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、微晶硅薄膜晶体管或其他适合的有源元件。阻挡层130覆盖在有源元件阵列层120之上，且其包括多层有机材料层132以及多层无机材料层134，其中有机材料层132与无机材料层134彼此交替堆叠在有源元件阵列层120之上。有机材料层132的形成方法例如为旋转涂布、狭缝涂布或喷墨印刷，而有机材料层132的材料例如为压克力，由于有机材料层132的材料在经过弯曲之后，不易产生破裂的现象，因此十分适于使用在可挠性有源元件阵列基板IOOa中。另外，无机材料层134的形成方法例如为化学气相沉积法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹启舜，洪仕馨，胡至仁，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：