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本实用新型公开了一种有源区沟槽分散式排列的半导体元件结构，其包含一半导体基板、一外延层及一有源区介电层。半导体基板以一第一掺杂浓度掺杂有一第一型半导体杂质，外延层形成于半导体基板上，以一第二掺杂浓度掺杂有第一型半导体杂质，并且开设有多个有源...
该专利属于台湾半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾半导体股份有限公司授权不得商用。

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