一种阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及显示面板，涉及显示技术领域，可以简化显示面板的工艺流程。该阵列基板包括：衬底、依次设置在所述衬底上的栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、阻挡层、以及挡光结构；所述栅金属层包括底栅电极、栅线；所述源漏金属层包括源电极、漏电极和数据线；所述挡光结构包括导电电极，所述导电电极与所述底栅电极电连接；其中，不透光的所述挡光结构还用作黑矩阵作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)具有低辐射、体积小及低耗能等优点，被广泛地应用在平板电脑、电视或手机等电子产品中，与此同时，人们对显示面板的显示品质的要求也越来越高。通常，在LCD中可以通过减小薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)阈值电压的偏移来提升显示面板的显示品质，相比常见的单栅极TFT，双栅极TFT具有更优的性能，如：阈值电压的稳定性及均匀性更好、电子迁移率更高、开态电流更大、亚阈值摆幅更小、栅极偏压及照光稳定性更好等。然而，采用双栅极TFT的显示面板会导致工艺流程的复杂化。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及显示面板，可以简化显示面板的工艺流程。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种阵列基板，包括：衬底、依次设置在所述衬底上的栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、阻挡层、以及挡光结构；所述栅金属层包括底栅电极、栅线；所述源漏金属层包括源电极、漏电极和数据线；所述挡光结构包括导电电极，所述导电电极与所述底栅电极电连接；其中，不透光的所述挡光结构还用作黑矩阵作用。优选的，所述数据线的宽度为5～10μm；所述挡光结构沿所述栅线方向设置。进一步优选的，所述栅金属层还包括公共电极线，所述公共电极线靠近所述栅线设置；所述底栅电极设置在所述栅线的靠近所述公共电极线的一侧；所述挡光结构设置在所述栅线和所述公共电极线之间。可选的，所述导电电极的材料为不透光导电材料。进一步优选的，所述导电电极的材料包括黑色导电聚合物。可选的，所述导电电极的材料为透明导电材料；所述挡光结构还包括设置在所述导电电极远离所述衬底一侧的黑色树脂层；所述黑色树脂层的图案与所述导电电极的图案相同。优选的，所述阵列基板还包括彩色滤光层。优选的，所述半导体有源层为氧化物半导体有源层。进一步的，所述阵列基板还包括设置在所述氧化物半导体有源层远离所述衬底一侧表面的刻蚀阻挡层。第二方面，提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。本专利技术实施例提供一种阵列基板及显示面板，通过在阵列基板上设置挡光结构，一方面，使挡光结构用作黑矩阵作用，可省略显示面板中黑矩阵的制备工艺，因而，当阵列基板应用于显示面板时，可简化工艺；另一方面，使挡光结构包括导电电极，并使导电电极与底栅电极电连接，可以在阵列基板上形成双栅极薄膜晶体管结构，从而可以提升显示面板的显示品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图一；图2(a)为图1中A-A′向剖视示意图一；图2(b)为图1中B-B′向剖视示意图一；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图二；图4为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图三；图5(a)为图1中A-A′向剖视示意图二；图5(b)为图1中B-B′向剖视示意图二；图6为图4中C-C′向剖视示意图一；图7为图4中C-C′向剖视示意图二；图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种制备阵列基板的流程示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图。附图标记：10-衬底；11-栅金属层；111-底栅电极；112-栅线；113-公共电极线；12-栅绝缘层；13-半导体有源层；14-源漏金属层；141-源电极；142-漏电极；143-数据线；16-阻挡层；17-刻蚀阻挡层；20-挡光结构；201-导电电极；202-黑色树脂层；30-像素电极；40-彩色滤光层；50-平坦层；60-公共电极。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板，如图1、图2(a)和图2(b)所示，包括：衬底10、依次设置在衬底10上的栅金属层11、栅绝缘层12、半导体有源层13、源漏金属层14、阻挡层16、以及挡光结构20；栅金属层11包括底栅电极111、栅线112；源漏金属层14包括源电极141、漏电极142和数据线143；挡光结构20包括导电电极201，导电电极201与底栅电极111电连接；其中，不透光的挡光结构20还用作黑矩阵作用。当然，所述阵列基板还包括与漏电极142电连接的像素电极30。需要说明的是，第一，本领域技术人员应该知道，黑矩阵的作用，一方面，需至少遮挡半导体有源层13的与源电极141和漏电极142之间间隙对应的部分(即沟道区)，以防止外界光线照射导致的特性漂移；当然，为了避免源电极141、漏电极142、底栅电极111等金属的反光，还可将整个TFT都进行遮挡。另一方面，需防止像素漏光，即需要遮挡不被电场控制的区域或电场较为复杂导致可能出现漏光的区域，例如栅线112与像素电极30之间的区域，或者，栅线112与公共电极线之间的区域。此外，黑矩阵还具有防止串色的作用，即设置在相邻且不同颜色子像素之间，例如当数据线143两侧的子像素为不同颜色子像素，则可通过沿数据线143方向，设置覆盖数据线143的黑矩阵来达到防止串色的作用。当然，采用黑矩阵防止串色也不是必须的，也可通过其他方式来防止串色。基于此，由于本专利技术实施例的挡光结构20还用作黑矩阵作用，也即，挡光结构20可代替黑矩阵，因此，对于挡光结构20的形状可参考黑矩阵的形状。但是需要注意的是，由于挡光结构20中的导电电极201是导电的，因此，在设计挡光结构20的形状时，需避免通过挡光结构20而将沿数据线143方向相邻子像素中的底栅电极111电连接起来。其中，由于挡光结构20中的导电电极201与底栅电极111电连接，而通过上述对黑矩阵作用的描述，可知挡光结构20势必遮挡半导体有源层13的与源电极141和漏电极142之间间隙对应的部分，因此，导电电极201可作为TFT的顶栅电极，即，TFT为双栅极TFT。第二，不对挡光结构20的层结构进行限定，其可以如图2(a)和图2(b)所示，仅包括导电电极201，此时导电电极201需能挡光。当然，除包括导电电极201外，还可包括其他层，只要能使挡光结构20整体起到挡光作用，导电电极201能与底栅电极111电连接且不会导致工艺复杂(能通过一次构图工艺形成挡光结构20)即可。第三，导电电极201可通过设置在阻挡层16和栅绝缘层12上的过孔与底栅电极111电连接。第四，不对半导体有源层13的材料进行限定，其可以采用非晶硅、氧化物、有机等材料制成。此外，不对双栅极TFT的类型进行限定，其可以为背沟道型，也可为刻蚀阻挡型，具体可根据半导体有源层13的材料以及制备形成源电极141和漏电极142的工艺而定。本专利技术实施例提供一种阵列基板，通过设置挡光结构20，一方面，使挡光结构2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底、依次设置在所述衬底上的栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、阻挡层、以及挡光结构；所述栅金属层包括底栅电极、栅线；所述源漏金属层包括源电极、漏电极和数据线；所述挡光结构包括导电电极，所述导电电极与所述底栅电极电连接；其中，不透光的所述挡光结构还用作黑矩阵作用。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底、依次设置在所述衬底上的栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、阻挡层、以及挡光结构；所述栅金属层包括底栅电极、栅线；所述源漏金属层包括源电极、漏电极和数据线；所述挡光结构包括导电电极，所述导电电极与所述底栅电极电连接；其中，不透光的所述挡光结构还用作黑矩阵作用。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线的宽度为5～10μm；所述挡光结构沿所述栅线方向设置。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅金属层还包括公共电极线，所述公共电极线靠近所述栅线设置；所述底栅电极设置在所述栅线的靠近所述公共电极线的一侧；所述挡光结构设置在所述栅线和所述公共电极线之间。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：操彬彬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11