阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于液晶显示器制造领域。阵列基板包括：衬底基板；衬底基板上依次设置有栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，栅极金属图形包括栅极引线；钝化层上设置有公共电极，公共电极与栅极引线电连接；公共电极上设置有金属层。本发明专利技术解决了对金属层进行剥离时，会使栅极引线受损，导致阵列基板在使用过程中线不良高发的问题，实现了保护了公共电极下方的栅极引线，避免了栅极引线受损。本发明专利技术用于阵列基板的制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器制造领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
目前的液晶显示器中，对于面板中公共电极的设置有多种情况，其中一种是将公共电极和像素电极都设置于阵列基板上的情况，例如高级超维场开关(英文：Advanced-SuperDimensionalSwitching；简称：ADS)技术。ADS技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转。为了进一步提高开口率，进而提高面板的透过率，高开口率(Highopeningrate)HADS技术被广泛采用。HADS技术在ADS技术的基础上将公共电极和像素电极的位置对调，即HADS型液晶显示器的公共电极在像素电极的上方。现有技术中，为了解决HADS型液晶显示器的公共电极电阻不均时引起的液晶显示屏画面泛绿的问题即Greenish现象，通常会在衬底基板的数据引线区的公共电极的下方沉积一层金属层以减小公共电极的电阻。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：实际应用中，在数据引线区的公共电极下方沉积金属层时，如果发生金属溅落、电弧放电或者微粒过高(即在沉积金属层前或沉积金属层的过程中杂质微粒过高会引起金属的短路或者开路)的情况，需要将沉积的金属层进行剥离，由于该金属层与栅极引线连接，那么对金属层进行剥离时，会使栅极引线受损，导致阵列基板在使用过程中线不良高发。
技术实现思路
为了解决现有技术中对金属层进行剥离时，会使栅极引线受损，导致阵列基板在使用过程中线不良高发的问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；所述衬底基板上依次设置有栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，所述栅极金属图形包括栅极引线；所述钝化层上设置有公共电极，所述公共电极与所述栅极引线电连接；所述公共电极上设置有金属层。可选的，所述钝化层和所述栅绝缘层上设置有贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔位于所述栅极引线上方且通过一次构图工艺形成；所述公共电极包括位于所述过孔中的第一子电极和位于所述过孔外的第二子电极，所述第一子电极通过所述过孔与所述栅极引线电连接；所述第一子电极上设置有所述金属层。可选的，所述衬底基板上依次设置有所述栅极金属图形、所述栅绝缘层、有源层、像素电极、源漏极图形、所述钝化层、所述公共电极和所述金属层，所述源漏极图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形还包括：栅极。可选的，所述金属层为厚度为150埃的钼层，或者所述金属层为厚度为700埃的铝层，或者所述金属层为厚度为300埃的钼层。第二方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，所述栅极金属图形包括栅极引线；在所述钝化层上形成公共电极，所述公共电极与所述栅极引线电连接；在所述公共电极上形成金属层。可选的，所述在所述钝化层上形成公共电极，包括：通过一次构图工艺在所述钝化层和所述栅绝缘层上形成贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔位于所述栅极引线上方；在所述钝化层上形成公共电极，所述公共电极包括位于所述过孔中的第一子电极和位于所述过孔外的第二子电极，所述第一子电极通过所述过孔与所述栅极引线电连接；所述在所述公共电极上形成金属层，包括：在所述第一子电极上形成所述金属层。可选的，所述在所述衬底基板上依次形成栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，包括：在所述衬底基板上依次形成所述栅极金属图形、所述栅绝缘层、有源层、像素电极、源漏极图形和所述钝化层，所述源漏极图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形还包括：栅极。可选的，所述金属层为厚度为150埃的钼层，或者所述金属层为厚度为700埃的铝层，或者所述金属层为厚度为300埃的钼层。第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一方面任一所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术实施例提供的阵列基板及其制造方法、显示装置，由于周边布线区上，公共电极与栅极引线电连接，且金属层形成于公共电极上方，在需要将该金属层剥离时，由于公共电极的材料特性，不会被剥离金属层时所用的刻蚀液刻蚀，从而保护了公共电极下方的栅极引线，避免了栅极引线受损。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，如图1所示，包括：衬底基板101。该衬底基板101上依次设置有栅极金属图形102、栅绝缘层103和钝化层104，该栅极金属图形102包括栅极引线102a。该钝化层104上设置有公共电极105，该公共电极105与栅极引线102a电连接。该公共电极105上设置有金属层106。综上所述，本专利技术实施例提供的阵列基板，由于公共电极与栅极引线电连接，金属层设置在公共电极上方，在需要将该金属层剥离时，由于公共电极的材料特性，剥离金属层时所用的弱酸刻蚀液对公共电极的刻蚀影响较小，从而保护了公共电极下方的栅极引线，避免了栅极引线受损。进一步的，如图1所示，钝化层104和栅绝缘层103上设置有贯穿该钝化层104和该栅绝缘层103的过孔H，该过孔H位于所述栅极引线102a上方，并且该过孔H通过一次构图工艺形成，需要说明的是，该栅极引线102a和栅极102b是在一次构图工艺中形成的，该栅极引线102a与栅极102b属于同一层，栅极引线102a与栅极102b绝缘；钝化层104上设置有公共电极105，该公共电极105包括位于过孔H中的第一子电极105a和位于过孔H外的第二子电极105b，该第一子电极105a通过过孔H与栅极引线102a电连接，由于该栅极引线102a与公共电极电连接，因此该栅极引线102a可以视为公共电极线；该第一子电极105a上设置有金属层106。需要说明的是，先在栅极引线102a上方的过孔H中设置公共电极105，再在过孔H中的公共电极105上方设置金属层106，在需要将金属层106剥离时，由于公共电极105通常采用氧化铟锡(英文：IndiumTinOxide；简称：ITO)、氧化铟锌(英文：Indiumzincoxide；简称：IZO)等金属氧化物制成，而金属层通常采用金属铝或钼制成，在剥离金属层106时，通常采用弱酸刻蚀液对金属层进行刻蚀，该弱酸刻蚀液对半导体氧化物的刻蚀影响较小，因此公共电极105被刻蚀金属铝或钼的弱酸刻蚀液刻蚀的程度较小，从而保护了公共电极下方的栅极引线102a，避免了栅极引线102a受损，本专利技术实施例提供的阵列基板与现有技术相比，既没有增加工艺流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；所述衬底基板上依次设置有栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，所述栅极金属图形包括栅极引线；所述钝化层上设置有公共电极，所述公共电极与所述栅极引线电连接；所述公共电极上设置有金属层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；所述衬底基板上依次设置有栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，所述栅极金属图形包括栅极引线；所述钝化层上设置有公共电极，所述公共电极与所述栅极引线电连接；所述公共电极上设置有金属层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层和所述栅绝缘层上设置有贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层的过孔，所述过孔位于所述栅极引线上方且通过一次构图工艺形成；所述公共电极包括位于所述过孔中的第一子电极和位于所述过孔外的第二子电极，所述第一子电极通过所述过孔与所述栅极引线电连接；所述第一子电极上设置有所述金属层。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上依次设置有所述栅极金属图形、所述栅绝缘层、有源层、像素电极、源漏极图形、所述钝化层、所述公共电极和所述金属层，所述源漏极图形包括源极和漏极，所述栅极金属图形还包括：栅极。4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层为厚度为150埃的钼层，或者所述金属层为厚度为700埃的铝层，或者所述金属层为厚度为300埃的钼层。5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极金属图形、栅绝缘层和钝化层，所述栅极金属图形包括栅极引线；在所述钝化...

【专利技术属性】
技术研发人员：任兴凤，刘国全，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34