【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示，更具体地，涉及一种显示基板、显示装置。
技术介绍
1、有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)和量子点发光二极管(quantum-dot light emitting diodes，简称qled)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以oled或qled为发光器件、由薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)进行信号控制的柔性显示装置(flexible display)已成为目前显示领域的主流产品。
2、随着用户对于窄边框和高ppi等产品需求的不断提升，对于薄膜晶体管(thinfilm transistor，简称：tft)器件的性能提出了更高的要求。目前，tft器件中的半导体材料一般采用非晶硅(a-si)、金属氧化物(例如igzo)以及低温多晶硅(ltps)，金属氧化物相对于低温多晶硅的有效迁移率低。为了提高金属氧化物材料的迁移率，一般采用提升金属氧化物中铟(in)含量、去除金属氧化物中锌(zn)或者向金属氧化物中加入锡(sn)元素等方案，来提高金属氧化物材料的迁移率。但是高迁移率的金属氧化物材料的禁带宽度小，对光照敏感度高。
技术实现思路
1、本技术实施例提供了一种显示基板，包括：
2、有源层，设置在基底的一侧，所述有源层包括沟道区；
3、栅极，设置在所述有源层远离所述基底
4、遮光层，设置在所述有源层靠近所述基底一侧，至少部分所述遮光层与所述沟道区在所述基底的正投影交叠。
5、在示例性实施方式中，所述栅极包括主体部分以及设置在所述主体部分上的伸出部，所述伸出部与所述沟道区在所述基底的正投影交叠，所述主体部分与所述沟道区在所述基底的正投影不交叠。
6、在示例性实施方式中，所述主体部分靠近所述沟道区一侧的边缘与所述沟道区靠近所述主体部分一侧的边缘之间设置有间隔。
7、在示例性实施方式中，所述主体部分的形状呈条状，所述有源层的形状呈条状，所述主体部分的延伸方向与所述有源层的延伸方向大致相同。
8、在示例性实施方式中，所述伸出部的形状包括块状或条状。
9、在示例性实施方式中，所述有源层的形状包括条状，所述有源层沿着第二方向延伸，所述栅极的形状包括条状，所述栅极沿着第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉。
10、在示例性实施方式中，所述有源层还包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区通过所述沟道区连接。
11、在示例性实施方式中，还包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均设置在所述有源层远离所述基底一侧，所述第一电极通过第一过孔与所述第一掺杂区连接，所述第二电极通过第二过孔与所述第二掺杂区连接。
12、在示例性实施方式中，还包括像素电极，所述像素电极设置在所述第一电极和所述第二电极远离所述基底一侧，所述像素电极通过第三过孔与所述第二电极连接。
13、在示例性实施方式中，所述第二过孔与所述第三过孔在所述基底的正投影存在交叠。
14、在示例性实施方式中，还包括有机介质层，所述有机介质层设置在所述像素电极与所述第二电极之间，所述有机介质层中设置有第四过孔，所述第三过孔在所述基底的正投影位于所述第四过孔在所述基底的正投影内。
15、在示例性实施方式中，还包括公共电极，所述公共电极设置在所述像素电极靠近所述基底一侧，所述公共电极通过第五过孔与所述像素电极连接。
16、在示例性实施方式中，还包括触控电极，所述触控电极设置在所述公共电极与所述像素电极之间，所述触控电极通过所述第五过孔与所述像素电极连接。
17、本技术实施例还提供了一种显示装置，包括前面所述的显示基板。
18、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
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1.一种显示基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅极包括主体部分以及设置在所述主体部分上的伸出部，所述伸出部与所述沟道区在所述基底的正投影交叠，所述主体部分与所述沟道区在所述基底的正投影不交叠。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述主体部分靠近所述沟道区一侧的边缘与所述沟道区靠近所述主体部分一侧的边缘之间设置有间隔。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述主体部分的形状呈条状，所述有源层的形状呈条状，所述主体部分的延伸方向与所述有源层的延伸方向大致相同。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述伸出部的形状包括块状或条状。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有源层的形状包括条状，所述有源层沿着第二方向延伸，所述栅极的形状包括条状，所述栅极沿着第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉。
7.根据权利要求1至6任一所述的显示基板，其特征在于，所述有源层还包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区通过所述
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，还包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均设置在所述有源层远离所述基底一侧，所述第一电极通过第一过孔与所述第一掺杂区连接，所述第二电极通过第二过孔与所述第二掺杂区连接。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，还包括像素电极，所述像素电极设置在所述第一电极和所述第二电极远离所述基底一侧，所述像素电极通过第三过孔与所述第二电极连接。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第二过孔与所述第三过孔在所述基底的正投影存在交叠。
11.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，还包括有机介质层，所述有机介质层设置在所述像素电极与所述第二电极之间，所述有机介质层中设置有第四过孔，所述第三过孔在所述基底的正投影位于所述第四过孔在所述基底的正投影内。
12.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，还包括公共电极，所述公共电极设置在所述像素电极靠近所述基底一侧，所述公共电极通过第五过孔与所述像素电极连接。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，还包括触控电极，所述触控电极设置在所述公共电极与所述像素电极之间，所述触控电极通过所述第五过孔与所述像素电极连接。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至13任一所述的显示基板。
...【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅极包括主体部分以及设置在所述主体部分上的伸出部，所述伸出部与所述沟道区在所述基底的正投影交叠，所述主体部分与所述沟道区在所述基底的正投影不交叠。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述主体部分靠近所述沟道区一侧的边缘与所述沟道区靠近所述主体部分一侧的边缘之间设置有间隔。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述主体部分的形状呈条状，所述有源层的形状呈条状，所述主体部分的延伸方向与所述有源层的延伸方向大致相同。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述伸出部的形状包括块状或条状。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有源层的形状包括条状，所述有源层沿着第二方向延伸，所述栅极的形状包括条状，所述栅极沿着第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉。
7.根据权利要求1至6任一所述的显示基板，其特征在于，所述有源层还包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区通过所述沟道区连接。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，还包括第一电极和第二电极，所述第一电极和...
【专利技术属性】
技术研发人员：张然，徐中，邹志翔，林亮，陈川，袁帅，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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