【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示,尤其涉及一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置。
技术介绍
1、goa(gate drive on array,阵列基板上栅极驱动)技术,是一种将栅极驱动电路集成于阵列基板,从而取代栅极驱动芯片以降低功耗和成本的技术。
2、goa电路中所用的薄膜晶体管其有源层材料可选用a-si(非晶硅)、ltps(低温多晶硅)、igzo(indium gallium zinc oxide,氧化铟镓锌)等。大尺寸显示屏通常选用有源层材料为igzo的薄膜晶体管作为goa电路中的薄膜晶体管,但当显示器尺寸以及分辨率进一步增大时,需要选用具有更高迁移率的氧化物材料薄膜晶体管应用于goa电路。
3、现有的采用氧化物材料的产品存在扫屏异常显示等不良,影响了显示产品的品质。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
2、作为本公开实施例的第一个方面,本公开实施例提供
...【技术保护点】
1.一种移位寄存器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,还包括第一电容,所述第一电容耦接在所述帧复位信号端与所述第三节点之间,所述第一电容的两个极板分别与所述帧复位信号端和所述第三节点耦接。
3.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,还包括电阻模块,所述电阻模块的两端分别与所述第五节点和所述第三电源端耦接。
4.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,还包括:
5.根据权利要求1-4中任一项所述的移位寄存器,其特征在于,还包括:
6.根据权利要求5所述的移位寄存器,其
...【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,还包括第一电容,所述第一电容耦接在所述帧复位信号端与所述第三节点之间,所述第一电容的两个极板分别与所述帧复位信号端和所述第三节点耦接。
3.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,还包括电阻模块,所述电阻模块的两端分别与所述第五节点和所述第三电源端耦接。
4.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,还包括:
5.根据权利要求1-4中任一项所述的移位寄存器,其特征在于,还包括:
6.根据权利要求5所述的移位寄存器,其特征在于,包括以下中的至少一个:
7.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,
8.根据权利要求7所述的移位寄存器,其特征在于,所述输出下拉模块还包括第十三晶体管b,所述第十三晶体管b的栅极与第二下拉节点耦接,所述第十三晶体管b的第一极和第二极分别与所述第四...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁雷鸣,郑敏栋,李佑路,熊雄,
申请(专利权)人:合肥鑫晟光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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