【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及钙钛矿电池，尤其涉及一种电子传输层及制备方法、电子传输层材料、钙钛矿电池及制备方法。
技术介绍
1、在相关的钙钛矿电池的制备工艺中，制备得到的电子传输层在退火后容易出现薄膜缺陷，例如针孔和氧空位，这将影响电子传输以及钙钛矿电池的性能和稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种电子传输层及制备方法、电子传输层材料、钙钛矿电池及制备方法，解决电子传输层在退火后容易出现氧空位和针孔的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种电子传输层的制备方法，包括以下步骤：
3、在电子传输层材料中加入含in3+添加剂和/或含la3+添加剂得到电子传输层前驱体溶液；
4、所述电子传输层前驱体溶液在基材的表面形成电子传输层并进行退火处理。
5、在本专利技术的一些实施例中，所述电子传输层材料包括含锡化合物。
6、在本专利技术的一些实施例中，所述含锡化合物包括sncl4(四氯化锡)、sno2(氧化锡)、sncl2·2h2o(二水合氯化亚锡)、sncl4·5h2o(五水氯化锡)、c12h28o4sn(异丙醇锡四氯化锡)中的至少一种。
7、在本专利技术的一些实施例中，所述含in3+添加剂包括incl3；
8、和/或，所述含la3+添加剂包括la(no3)3·6h2o、lacl3·5h2o中的至少一种。
9、在本专利技术的一些实施例中，在电子传输层材料中加入含in3+添加剂得到电子
10、或，在电子传输层材料中加入含la3+添加剂得到电子传输层前驱体溶液，所述含la3+添加剂和电子传输层材料的摩尔比范围是(1％～5％)：1；
11、或，在电子传输层材料中加入含in3+添加剂和含la3+添加剂得到电子传输层前驱体溶液，所述含in3+添加剂、含la3+添加剂、电子传输层材料的摩尔比范围为(2％:2％:1)～(6％:6％:1)。
12、在本专利技术的一些实施例中，所述退火的温度范围为100℃～200℃。
13、在本专利技术的一些实施例中，在所述基材的表面制备电子传输层的方法包括旋涂法、刮涂法或狭缝涂布法。
14、为实现上述目的，本专利技术还提供一种如上所述电子传输层的制备方法制备得到的电子传输层。
15、为实现上述目的，本专利技术还提供一种钙钛矿电池，所述钙钛矿电池包括如上所述的电子传输层。
16、在本专利技术的一些实施例中，所述钙钛矿电池包括正置钙钛矿电池或反置钙钛矿电池。
17、在本专利技术的一些实施例中，所述正置钙钛矿电池自下而上依次包括导电基材、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层、背电极；
18、和/或，所述反置钙钛矿电池自下而上至少包括导电基材、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、背电极。
19、在本专利技术的一些实施例中，所述钙钛矿电池还包括钝化层，所述钝化层设于所述钙钛矿电池和空穴传输层之间。
20、本专利技术还提供一种钙钛矿电池的制备方法，包括如上所述的电子传输层的制备步骤。
21、本专利技术还提供一种电子传输层材料，所述电子传输层材料含有in3+和/或la3+。
22、本专利技术所能实现的有益效果：
23、本专利技术的电子传输层前驱体溶液中含有in3+和/或la3+，这两种三价金属离子可以掺杂到电子传输层材料的晶格中，改善电子传输层在退火过程中出现氧化不完全导致的氧空位和针孔等薄膜缺陷问题，减少电子传输层薄膜的氧空位和针孔有利于提高其致密度和质量，减少漏电流的产生，而且，掺杂了in3+和/或la3+的电子传输层的能级和钙钛矿吸光层的能级匹配更高，可促进电子的传输，从而提高钙钛矿电池的功率转化效率并提高其稳定性。
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1.一种电子传输层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述电子传输层的制备方法，其特征在于，所述电子传输层材料包括含锡化合物。
3.根据权利要求1所述电子传输层的制备方法，其特征在于，所述含锡化合物包括SnCl4(四氯化锡)、SnO2(氧化锡)、SnCl2·2H2O(二水合氯化亚锡)、SnCl4·5H2O(五水氯化锡)、C12H28O4Sn(异丙醇锡四氯化锡)中的至少一种。
4.根据权利要求1所述电子传输层的制备方法，其特征在于，所述含In3+添加剂包括InCl3；
5.根据权利要求1所述电子传输层的制备方法，其特征在于，在电子传输层材料中加入含In3+添加剂得到电子传输层前驱体溶液，所述含In3+添加剂和电子传输层材料的摩尔比范围是(1％～5％)：1；
6.根据权利要求1所述电子传输层的制备方法，其特征在于，所述退火的温度范围为100℃～200℃；
7.一种权利要求1至6任一所述电子传输层的制备方法制备得到的电子传输层。
8.一种钙钛矿电池，特征在于，所述钙钛矿电池包括权利
9.根据权利要求8所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿电池包括正置钙钛矿电池或反置钙钛矿电池。
10.根据权利要求9述的钙钛矿电池，其特征在于，所述正置钙钛矿电池自下而上至少包括导电基材、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层、背电极；
11.根据权利要求10所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿电池还包括钝化层，所述钝化层设于所述钙钛矿电池和空穴传输层之间。
12.一种钙钛矿电池的制备方法，其特征在于，包括权利要求1至6任意一项所述的电子传输层的制备步骤。
13.一种电子传输层材料，其特征在于，所述电子传输层材料含有In3+和/或La3+。
...【技术特征摘要】
1.一种电子传输层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述电子传输层的制备方法，其特征在于，所述电子传输层材料包括含锡化合物。
3.根据权利要求1所述电子传输层的制备方法，其特征在于，所述含锡化合物包括sncl4(四氯化锡)、sno2(氧化锡)、sncl2·2h2o(二水合氯化亚锡)、sncl4·5h2o(五水氯化锡)、c12h28o4sn(异丙醇锡四氯化锡)中的至少一种。
4.根据权利要求1所述电子传输层的制备方法，其特征在于，所述含in3+添加剂包括incl3；
5.根据权利要求1所述电子传输层的制备方法，其特征在于，在电子传输层材料中加入含in3+添加剂得到电子传输层前驱体溶液，所述含in3+添加剂和电子传输层材料的摩尔比范围是(1％～5％)：1；
6.根据权利要求1所述电子传输层的制备方法，其特征在于，所述退火的温度...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：旗滨新能源发展深圳有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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