钙钛矿电池界面氯掺杂方法、钙钛矿电池的制备方法、钙钛矿功能层、钙钛矿电池技术

本申请公开了一种钙钛矿电池界面氯掺杂方法、钙钛矿电池的制备方法、钙钛矿功能层、钙钛矿电池，属于钙钛矿电池界面修饰技术领域。本申请通过真空等离子体设备对钙钛矿电池功能层界面进行氯掺杂，相比溶液法、固相反应法等现有技术，可以通过调节真空等离子体设备的参数精确控制氯元素的掺杂深度和掺杂量，也不易对钙钛矿的功能层造成损害、改变其界面的形貌或产生副产物，而且操作简单，处理时间短，效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及钙钛矿电池界面修饰，尤其涉及一种钙钛矿电池界面氯掺杂方法、钙钛矿电池的制备方法、钙钛矿功能层、钙钛矿电池。

技术介绍

1、金属卤化物钙钛矿材料一般具备abx3结构通式，其中a为一价阳离子，b为二价阳离子，x为卤素阴离子。这类材料有着组分与带隙可调、载流子迁移率高、载流子寿命长、激子结合能低、吸光能力强等优异的半导体性能。且卤化物钙钛矿原材料来源广泛，可利用低成本溶液加工技术制备，具备显著的低成本优势。目前，基于卤化物钙钛矿的太阳能电池认证光电转换效率已突破至26.1％。界面工程是提升卤化物钙钛矿太阳能电池器件性能减少能量损失的重要路径之一。其中，一种重要的方法是采用卤素添加剂对钙钛矿和接触电极的界面/表面进行修饰。

2、现阶段电极表面掺杂氯元素一般通过溶液法，将氯盐溶解于前驱体溶液或者使用氯盐溶液单独对于电极进行改性，或者通过固相反应将有机或者无机氯盐与电极原料进行反应获得表面掺杂氯元素的材料或电极。现有方法难以控制掺杂深度，容易对钙钛矿表面产生损伤，产生浪费，操作复杂，耗时较长。

技术实现思路本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，所述含氯气体包括Cl2、BCl3、CCl3、CCl4、C2Cl4、HCl中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，所述含氯气体的流量范围为5sccm-100sccm；

4.根据权利要求3所述的钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，所述含氯气体的流量范围为10sccm-30sccm；

5.根据权利要求1所述的钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，在向所述真空室内输入含氯气体的步骤中，还...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，所述含氯气体包括cl2、bcl3、ccl3、ccl4、c2cl4、hcl中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，所述含氯气体的流量范围为5sccm-100sccm；

4.根据权利要求3所述的钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，所述含氯气体的流量范围为10sccm-30sccm；

5.根据权利要求1所述的钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，在向所述真空室内输入含氯气体的步骤中，还输入辅助性气体。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，所述辅助性气体和所述含氯气体的流量比在20％以下；

7.根据权利要求1所述的钙钛矿电池界面氯掺杂方法，其特征在于，所述待修饰的功能层包括钙钛矿电池中的所有功能层，所述钙钛矿电池的功能层包括导电基材、导电基材修饰层、电子传输层、空穴传输层、钙钛矿功能层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：旗滨新能源发展深圳有限责任公司，
类型：发明
国别省市：