【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体地，涉及一种半导体结构及其制作方法、存储器。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dram，dynamic random access memory)的存储阵列架构是由包括一个晶体管和一个电容器的存储单元(即1t1c的存储单元)组成的阵列。晶体管的栅极与字线相连，漏极与位线相连，源极与电容器相连。
2、随着动态随机存取存储器的尺寸不断缩小，电容器的尺寸也随之缩小。如何保证动态随机存取存储器中电容器的性能，成为亟待解决的问题。
3、公开内容
4、有鉴于此，本公开实施例提出一种半导体结构及其制作方法、存储器。
5、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：
6、多个第一半导体柱、多个第二半导体柱、第一支撑层及存储结构；其中，
7、所述多个第一半导体柱沿第一方向和第二方向呈阵列排布；所述第一方向和所述第二方向均与所述第一半导体柱的延伸方向垂直，且所述第一方向和所述第二方向相交；
8、所述第一支撑层覆盖所述多个第一半导体柱的顶部侧壁；
9、每一所述第二半导体柱位于相应的一个所述第一半导体柱上；所述存储结构至少围绕所述多个第一半导体柱和所述多个第二半导体柱的侧壁。
10、上述方案中，所述第一支撑层包括：多个第一支撑柱和多个第二支撑柱；其中，
11、每个所述第一支撑柱位于沿第一方向相邻的两个第一半导体柱的顶部之间，每个所述第二支撑柱位于沿第二方向相邻的两个第一半导体柱的顶部之间，且所述第一支撑层
12、上述方案中，所述存储结构包括：
13、多个第一电极；每一所述第一电极至少覆盖一个所述第一半导体柱的侧壁中未被所述第一支撑层覆盖的部分，且覆盖相应的一个所述第二半导体柱的侧壁；
14、多个介质层；每一所述介质层至少覆盖一个所述第一电极的侧壁、一个所述第一支撑柱的侧壁和一个所述第二支撑柱的侧壁；
15、第二电极，位于多个第一半导体柱和多个第二半导体柱的间隙中且覆盖所述多个介质层。
16、上述方案中，所述半导体结构还包括：
17、多个氧化柱，每一所述第一半导体柱均位于相应的一个所述氧化柱的顶面上；
18、牺牲层，位于多个所述氧化柱的间隙中；
19、所述介质层还覆盖所述牺牲层的顶面。
20、上述方案中，所述半导体结构还包括：
21、多个晶体管；每一晶体管的沟道结构位于所述第二半导体柱的上部，所述沟道结构的延伸方向垂直于所述第一方向和第二方向所在平面；
22、所述晶体管包括：
23、至少围绕部分所述第二半导体柱的上部侧壁的栅极结构，以及分别设置在所述第二半导体柱的上部，且位于所述沟道结构两端的源极和漏极。
24、根据本公开的另一个方面，提供了一种存储器，包括：一个或多个如本公开上述方案中任一方案所述的半导体结构。
25、根据本公开的再一个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，所述方法包括：
26、提供第一半导体基底，在所述第一半导体基底上形成第一有源层，所述第一有源层包括沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个第一半导体柱；所述第一方向和所述第二方向均与所述第一半导体柱的延伸方向垂直，且所述第一方向和所述第二方向相交；
27、在所述第一有源层的顶部形成第一支撑层；
28、在所述第一有源层和所述第一支撑层上形成第二半导体基底；
29、去除部分所述第二半导体基底形成第二有源层，所述第二有源层包括多个第二半导体柱；每个所述第二半导体柱位于相应的一个所述第一半导体柱的顶面；
30、在所述第二有源层的顶部形成第二支撑层；
31、在多个所述第一半导体柱和多个所述第二半导体柱的侧壁形成存储结构。
32、上述方案中，所述方法还包括：在形成所述第一支撑层之前，在所述多个第一半导体柱的间隙中形成第一绝缘层；
33、形成所述第一支撑层，包括：
34、去除部分所述第一绝缘层，形成多个第一凹槽；
35、在所述第一凹槽中形成第一支撑柱；
36、去除部分所述第一绝缘层，形成多个第二凹槽；
37、在所述第二凹槽中形成第二支撑柱；
38、其中，所述第一支撑柱和所述第二支撑柱共同构成所述第一支撑层，每个所述第一支撑柱位于沿第一方向相邻的两个第一半导体柱的顶部之间，每个所述第二支撑柱位于沿第二方向相邻的两个第一半导体柱的顶部之间，且所述第一支撑层覆盖所述第一半导体柱的部分顶部侧壁。
39、上述方案中，形成所述第二半导体基底，包括：
40、去除部分所述第一绝缘层以及部分第一支撑层，暴露所述第一半导体柱顶部的部分侧壁；
41、利用外延生长工艺，在所述第一半导体柱上形成所述第二半导体基底。
42、上述方案中，所述方法还包括：
43、在形成所述第二支撑层之前，在所述多个第二半导体柱的间隙中形成第二绝缘层；
44、形成所述第二支撑层，包括：
45、去除部分所述第二绝缘层，形成多个第三凹槽；
46、在所述第三凹槽中形成第三支撑柱；
47、去除部分所述第二绝缘层，形成多个第四凹槽；
48、在所述第四凹槽中形成第四支撑柱；
49、其中，所述第三支撑柱和所述第四支撑柱共同构成所述第二支撑层，每个所述第三支撑柱位于沿第一方向相邻的两个第二半导体柱的顶部之间，每个所述第四支撑柱位于沿第二方向相邻的两个第二半导体柱的顶部之间，且所述第二支撑层覆盖所述第二半导体柱的部分顶部侧壁。
50、上述方案中，形成所述存储结构，包括：
51、完全去除剩余的所述第一绝缘层以及剩余的所述第二绝缘层；
52、对所述第一半导体柱和所述第二半导体柱暴露的表面进行氧化处理，形成第一氧化层；
53、在所述第一氧化层的间隙中形成牺牲材料；
54、去除所述第二支撑层以及所述第一氧化层，形成围绕所述第一半导体柱和所述第二半导体柱的第一填充区域；
55、在所述第一填充区域中填充导电材料形成第一电极；
56、去除所述第一电极之间的所述牺牲材料，形成第二填充区域；
57、在所述第二填充区域中依次形成介质层和第二电极。
58、上述方案中，在去除所述第二支撑层之前，去除位于所述第二半导体柱顶部的侧壁的所述第一氧化层，形成第三填充区域，在所述第三填充区域中形成所述牺牲材料，以在所述第二半导体柱顶部形成第三支撑层。
59、上述方案中，在形成所述第一电极的同时，在所述第三凹槽和所述第四凹槽中形成所述导电材料，以在所述第二半导体柱顶部形成第四支撑层。
60、上述方案中，形成所述第一有源层，包括：
61、在所述第一半导体基底中形本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个第一半导体柱、多个第二半导体柱、第一支撑层及存储结构；其中，
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一支撑层包括：多个第一支撑柱和多个第二支撑柱；其中，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述存储结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
6.一种存储器，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至5中任一项所述的半导体结构。
7.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述第一支撑层之前，在所述多个第一半导体柱的间隙中形成第一绝缘层；
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述第二半导体基底，包括：
10.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：p>
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述存储结构，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，
13.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一电极的同时，在所述第三凹槽和所述第四凹槽中形成所述导电材料，以在所述第二半导体柱顶部形成第四支撑层。
14.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一氧化层的同时，所述第一部分被全部氧化成氧化柱；在所述第一氧化层的间隙中形成牺牲材料的同时，所述牺牲材料还形成在氧化柱的间隙中；且在去除所述第一电极之间的所述牺牲材料时，保留位于所述氧化柱之间的所述牺牲材料形成牺牲层，所述氧化柱和所述牺牲层形成底部支撑层。
16.根据权利要求13所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个第一半导体柱、多个第二半导体柱、第一支撑层及存储结构；其中，
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一支撑层包括：多个第一支撑柱和多个第二支撑柱；其中，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述存储结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
6.一种存储器，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至5中任一项所述的半导体结构。
7.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述第一支撑层之前，在所述多个第一半导体柱的间隙中形成第一绝缘层；
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述第二半导体基底，包括：
10.根据权利要求8...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，肖德元，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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