【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种广泛应用于手机、电脑、汽车等电子产品中的半导体存储器。随着科技的发展，集成电路器件的特征尺寸不断缩小，dram的关键尺寸也越来越小，制程工艺越来越复杂，成本也越来越高，这对产品电性要求非常严格。
2、因此，需要开发出简单稳定的制备工艺，以简化制造流程，节约成本，提高产品性能。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：
2、衬底，所述衬底包括多个有源区；
3、位线结构，位于所述有源区上方，且与所述有源区接触；其中，所述位线结构包括位线和接触插塞，所述接触插塞位于所述有源区和所述位线之间且包括第一部分和第二部分，所述位线沿第一方向延伸，所述第一方向平行于所述衬底的表面；
4、第一隔离层，环绕所述第一部分；
5、空气间隙，至少...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述空气间隙环绕所述第一部分设置且位于所述第一部分和所述第一隔离层之间；其中，位于所述接触插塞沿所述第一方向相对两侧的所述空气间隙具有第一尺寸，位于所述接触插塞沿所述第二方向相对两侧的所述空气间隙具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述空气间隙环绕所述第一部分设置且位于所述第一部分和所述第一隔离层之间；其中，位于所述接触插塞沿所述第一方向相对两侧的所述空气间隙具有第一尺寸，位于所述接触插塞沿所述第二方向相对两侧的所述空气间隙具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线结构还包括：
8.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
9...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，李松雨，陶大伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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