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半导体结构及其制备方法、半导体器件技术
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文档序号:41514244
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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、半导体器件。半导体结构包括:衬底,衬底包括多个有源区;位线结构,位于有源区上方,且与有源区接触;其中,位线结构包括位线和接触插塞,接触插塞位于有源区和位线之间且包括第一部分和第二部分,位线沿第一...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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