【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成，每一个存储单元通常包括电容器和晶体管。
2、相关技术中的dram，晶体管呈水平状，且电容器与晶体管垂直，随着工艺节点的不断发展，dram集成度不断提高、尺寸不断微缩，电容器的深宽比越来越大，晶体管的尺寸越来越小，dram的工艺复杂度和制造成本逐渐增大。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法。
2、第一方面，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：
3、提供基底；所述基底包括沿第一方向延伸的第一隔离凹槽、以及沿所述第一方向和第三方向阵列排布的多个有源柱；其中，所述第一隔离凹槽在第二方向上将所述基底分割为第一区域和第二区域；所述有源柱通过支撑结构支撑；所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两相互垂直，所述第一方向与所述第二方向平行于所述基底的上表面；
4、在所述有源柱之间的空隙中，形成位于所述第一区域的半电容结构和位于所述第二区域的全环栅结构；
5、处理所述第一区域的有源柱和所述半电容结构，以形成沿所述第二方向延伸的电容结构；
6、在所述第一隔离凹槽中形成连接所述全环栅结构和所述电容结构的第一连接结构。
7、第二方面，本公开实施例提供一种半导体结
8、基底；所述基底包括沿第二方向排布的第一区域和第二区域；所述第二区域包括沿第一方向和第三方向阵列排布的有源柱；其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两相互垂直，所述第一方向与所述第二方向平行于所述基底的上表面；
9、位于所述第一区域的电容结构、以及位于所述第二区域的全环栅结构；其中，所述全环栅结构环绕于所述有源柱的表面；
10、连接所述电容结构与所述全环栅结构的第一连接结构；
11、支撑所述电容结构和所述全环栅结构的支撑结构。
12、本公开实施例提供的半导体结构及其形成方法，由于电容结构呈水平状，相较于高深宽比的垂直电容结构，水平状的电容结构可以减少倾倒或者折断的可能性，从而可以提高电容结构的稳定性，且多个电容结构在第三方向上堆叠形成的堆叠结构可以形成三维的半导体结构，进而可以提高半导体结构的集成度，实现微缩。
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1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半电容结构和所述全环栅结构通过以下步骤形成：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基底还包括半导体衬底，所述有源柱和所述支撑结构形成于所述半导体衬底上；所述处理所述第一区域的有源柱和所述半电容结构，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述第一金属层之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一连接结构通过以下步骤形成：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述第一连接结构之后，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述位线结构通过以下步骤形成：
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基底还包括沿所述第二方向延伸第三隔离凹槽；所述第三隔离凹槽在所述第一方向上将所述全环栅结构分割为第一部分和第二部分；所述阶梯状字线
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述阶梯状字线结构之前，所述方法还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二连接结构通过以下步骤形成：
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一连接结构的厚度为20埃～200埃；所述第二连接结构的厚度为20埃～200埃。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在形成所述第二连接结构之后，所述半导体结构的形成方法还包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述第三隔离层之后，所述方法还包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一金属线、所述第二金属线、所述第三金属线通过以下步骤形成：
16.根据权利要求9至15任一项所述的方法，其特征在于，所述基底通过以下步骤形成：
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在形成所述第一隔离凹槽之前，所述方法还包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，在形成所述第一隔离凹槽之前，所述方法还包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，在形成所述第一隔离凹槽之后，且在去除所述叠层结构中的所述第一半导体层之前，所述方法还包括：
20.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构通过上述权利要求1至19任一项所述半导体结构的形成方法形成，所述半导体结构包括：
21.根据权利要求20所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构包括第一金属层、电介质层和第二金属层；
22.根据权利要求21所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述第二区域、且沿所述第一方向延伸的位线结构。
23.根据权利要求22所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二连接结构和阶梯状字线结构；
24.根据权利要求23所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一金属线、第二金属线和第三金属线；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半电容结构和所述全环栅结构通过以下步骤形成：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基底还包括半导体衬底，所述有源柱和所述支撑结构形成于所述半导体衬底上；所述处理所述第一区域的有源柱和所述半电容结构，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述第一金属层之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一连接结构通过以下步骤形成：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述第一连接结构之后，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述位线结构通过以下步骤形成：
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基底还包括沿所述第二方向延伸第三隔离凹槽；所述第三隔离凹槽在所述第一方向上将所述全环栅结构分割为第一部分和第二部分；所述阶梯状字线结构通过以下步骤形成：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述阶梯状字线结构之前，所述方法还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二连接结构通过以下步骤形成：
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一连接结构的厚度为20埃～200埃；所述第二连接结构的厚度为20埃～200埃。
13.根据权利要求11所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：尤康，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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