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一种多有源区高效率光电子器件，属于半导体光电子领域，其特征是在多有源区光电子器件中引入间接隧穿结构，通过间接隧穿结构将多个发光单元连接起来，增加了载流子的隧穿几率，成倍地提高了器件的量子效率。该器件结构可用于发光二极管、半导体激光器、多层结...
该专利属于沈光地;马莉所有，仅供学习研究参考，未经过沈光地;马莉授权不得商用。

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