发光二极管制造技术

本发明专利技术公开一种发光二极管，其包括蓝宝石基板、N型半导体层、有源层、P型半导体层、第一电极与第二电极。N型半导体层位于蓝宝石基板上。有源层具有缺陷密度为DD的活性区，其中DD≥2x107/cm3，有源层位于N型半导体层与P型半导体层之间。有源层发出的光波长λ为222nm≤λ≤405nm，有源层包括i层的量子阻障层及(i-1)层量子阱。各量子阱于任两层量子阻障层之间，且i为大于等于2的自然数。掺杂N型掺质于量子阻障层中的至少k层，k为大于等于1的自然数，当i为偶数时，k≥i/2，当i为奇数时，k≥(i-1)/2。第一电极与第二电极分别位于N型半导体层上与P半导体层上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：基板；N型半导体层，位于该基板上；有源层，具有一缺陷密度DD，其中DD≥2x107/cm3，该有源层位于该N型半导体层的部分区域上，该有源层发出的光波长λ为222nm≤λ≤405nm，该有源层包括i层的量子阻障层以及(i?1)层量子阱，各量子阱于任两层量子阻障层之间，且i为大于等于2的自然数，其中掺杂N型掺质于该些量子阻障层中的至少k层，k为大于等于1的自然数，当i为偶数时，k≥i/2，当i为奇数时，k≥(i?1)/2；P型半导体层，位于该有源层上；以及第一电极以及一第二电极，其中该第一电极位于该N型半导体层的部分区域上，且该第二电极位于该P半导体层的部分区域上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：傅毅耕，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：