1.3μm波长的无偏振高效率发光量子点器件及设计方法技术

技术编号:9199472 阅读:243 留言:0更新日期:2013-09-26 03:26
本发明专利技术公开了一种1.3μm波长的无偏振高效率发光量子点器件。我们采用在基底沉积全方向反射镜结构(DBR),然后再沉积制备量子点(InAs/GaAs),接着继续沉积以供刻蚀微腔的材料层。利用电子束曝光系统(EBL)与感应耦合等离子体刻蚀设备(ICP),在顶层的材料制备出设计的环形空气孔光子晶体微腔。利用本发明专利技术设计的量子点发光器件,可以对1.3μm波长的横磁模(TM)与横电模(TE)均具有很高的品质因子和发光效率。本发明专利技术提出的发光量子点器件可以实现在1.3μm波长横磁模(TM)与横电模(TE)的高效率发射。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种1.3μm波长的无偏振高效率发光量子点器件,其特征在于,包括自上而下依次设置的环形空气孔光子晶体微腔[1]、量子点层[2]、全方向反射镜结构[3]、基底[4],其中环形空气孔光子晶体微腔[1]为三角晶格环形空气孔的光子晶体微腔,该光子晶体微腔的结构类型为L3型,即光子晶体中心处沿X轴缺失三个单位元,光子晶体微腔缺陷处左右两侧的孔[7]为空气孔,光子晶体微腔的材料为GaAs。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:贾巍李相银邓君本杰明·里德陈振星王旭武红罗伯特·泰勒亚伦·丹尼尔蒋立勇
申请(专利权)人:南京理工大学
类型:发明
国别省市:

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