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本发明涉及一种GaN基LED的外延结构及其生长方法。GaN基LED的外延结构包括：步骤一，在蓝宝石衬底上依次生长GaN成核层、非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层；步骤二，在N型掺杂GaN层之上生长有源区MQW层，生长有源区MQW层时，...
该专利属于武汉迪源光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉迪源光电科技有限公司授权不得商用。

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