【技术实现步骤摘要】
本申请涉及LED外延设计应用
，具体地说，涉及一种A1N模板LED外延生长方法。
技术介绍
目前LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种固体照明，体积小、耗电量低使用寿命长高亮度、环保、坚固耐用等优点受到广大消费者认可，国内生产LED的规模也在逐步扩大；市场上对LED亮度和光效的需求与日俱增，如何生长更好的外延片日益受到重视，因为外延层晶体质量的提高，LED器件的性能可以得到提升，LED的发光效率、寿命、抗老化能力、抗静电能力、稳定性会随着外延层晶体质量的提升而提升。传统LED外延结构为GaN基，生长方法包括：处理衬底、生长低温缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长n型GaN层、生长发光层、生长电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层、生长电极接触层，降温冷却。近年来，GaN基LED的研究不断深入，其在发光强度、白光光效、散热等方面都有了显著改善，GaN基LED的商业化水平不断提高，应用范围不断扩大。但是随着市场对高亮度、低电压及高抗静电能力的不断需求，传统GaN基LED在亮度、电压及抗静电能力上的提升和改善已较难满足市场需求的速度。专...
【技术保护点】
一种A1N模板LED外延生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长非掺杂GaN层、生长n型GaN层、生长发光层、生长电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，生长电极接触层、降温冷却，所述处理衬底，进一步为：在650℃下烘烤蓝宝石衬底5min‑7min，在蓝宝石衬底上预溅射A1N膜20s‑45s，再在蓝宝石衬底上正式溅射A1N膜60s‑75s，而后进行水冷处理8min‑12min，在N2气氛下包装得到外延生长的A1N模板衬底；升高温度至1200℃‑1250℃，将所述A1N模板衬底在H2气氛中进行高温净化处理3min‑7min；所述生长非掺杂GaN层，进一步为：降低温度至1...
【技术特征摘要】
1.一种A1N模板LED外延生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长非掺杂GaN层、生长n型GaN层、生长发光层、生长电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，生长电极接触层、降温冷却，所述处理衬底，进一步为：在650℃下烘烤蓝宝石衬底5min-7min，在蓝宝石衬底上预溅射A1N膜20s-45s，再在蓝宝石衬底上正式溅射A1N膜60s-75s，而后进行水冷处理8min-12min，在N2气氛下包装得到外延生长的A1N模板衬底；升高温度至1200℃-1250℃，将所述A1N模板衬底在H2气氛中进行高温净化处理3min-7min；所述生长非掺杂GaN层，进一步为：降低温度至1150℃-1200℃，反应腔压力控制在550mbar-650mbar，生长0.5μm-1.0μm厚度的非掺杂GaN层；所述生长n型GaN层，进一步为：将反应腔压力降低至100mbar-200mbar，温度控制在1200℃-1280℃，生长1.0μm-1.5μm厚度的n型GaN层；所述生长发光层，进一步为：降低温度至680℃-780℃，反应腔压力控制在150mbar-650mbar，生长45nm-75nm厚的第一势垒层；温度控制在700℃-750℃，反应腔压力控制在150mbar-650mbar，生长2-6个循环周期的InGaN/GaN浅量子阱层，阱厚3nm-6nm；温...
【专利技术属性】
技术研发人员：向锦涛，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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