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本申请公开了一种AlN模板LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长非掺杂GaN层、生长n型GaN层、生长发光层、生长电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，生长电极接触层、降温冷却。与传统方法相比，本申请提供的方法，减少了生长低温缓冲层...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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