一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法技术

一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法，对发光结构进行刻蚀，形成第一通孔，并在第一通孔侧壁形成具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域，尤其是涉及一种LED芯片的制造方法。
技术介绍
LED作为新一代的固体冷光源，具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点，是理想的节能环保产品，适用各种照明场所。现有封装过程中，直接在LED芯片上喷涂一层荧光粉，然后用模具进行透镜封装。传统的LED芯片具有五面出光的特点，因此除了正面喷涂荧光粉能正常出光外，其他四面侧壁容易出现漏蓝、发黄等的问题，存在较严重不同角度颜色差异。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法， 以解决现有技术中LED芯片漏蓝、发黄等的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成发光结构，其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述发光结构的第一通孔和形成贯穿所述P型氮化镓层和有源层的第二通孔；在所述P型氮化镓层表面及第一通孔和第二通孔的侧壁形成DBR层；对所述P型氮化镓层表面的DBR层进行图形化刻蚀，漏出发光区域；在所述P型氮本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法，包括： 提供第一衬底；在所述第一衬底上形成发光结构，其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述发光结构的第一通孔和形成贯穿所述P型氮化镓层和有源层的第二通孔；在所述P型氮化镓层表面及第一通孔和第二通孔的侧壁形成DBR层；对所述P型氮化镓层表面的DBR层进行图形化刻蚀，漏出发光区域；在所述P型氮化镓层表面及P型氮化镓层上的DBR层表面形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层表面形成P型电极，在所述第二通孔内填充金属层形成N型电极。

【技术特征摘要】
1.一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法，包括： 提供第一衬底；在所述第一衬底上形成发光结构，其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述发光结构的第一通孔和形成贯穿所述P型氮化镓层和有源层的第二通孔；在所述P型氮化镓层表面及第一通孔和第二通孔的侧壁形成DBR层；对所述P型氮化镓层表面的DBR层进行图形化刻蚀，漏出发光区域；在所述P型氮化镓层表面及P型氮化镓层上的DBR层表面形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层表面形成P型电极，在所述第二通孔内填充金属层形成N型电极。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述P型电极在所述P型氮化镓层上的DBR层的垂直投影上。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亮，何键云，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44