【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管
，特别涉及。
技术介绍
基于发光二极管(LED)的固体照明光源，由于功耗低、寿命长、体积小以及可靠性高而备受青睐，在液晶显示器、一般照明及室外显示设备上都有着广泛的应用。同时LED灯作为一种节能环保的固体光源，具有广阔的应用前景。虽然GaN基LED已经产业化，但与白炽灯，荧光灯等照明光源的通用性相比，LED芯片还存在出光效率低的问题，这是由于LED有源层的半导体材料相比空气的高折射率，光在LED介质与空气的界面会发生全反射，大部分光不仅不能从LED中发射出来，反而在器件内部传播，被基底或有源层吸收转化为热能而消耗掉。因此如何采取有效措施使这部分光逃逸出来，减少界面间的全反射是提高LED出光效率的很重要的一个问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供，用于减少界面间的全反射和提高二极管出光效率。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种发光二极管的外延结构，包括从下至上依次沉积的衬底、过渡层、u型半导体层、n型半导体层、多量子阱层和p型半导体层，在所述P型半导体层的顶部沉积一层带有密集孔洞的光栅层。本专利技术的技术方案还包括一种制造上述技术方案中所述光栅层的方法，包括以下步骤:在500°C 700°C温度下沉积一层高掺铟的InGaN层，沉积后相邻的铟元素形成铟团簇；在9001: 1050°C温度下，蒸发掉铟团簇，形成带有密集孔洞的光栅层。本专利技术的有益效果是:本专利技术的光栅层内部具有非规则形状的密集孔洞，单一波长的光经过P型半导体层出光后，经过光栅层发生衍射，增强出光。同时衍射光线相互间发生干涉，出光光强集...
【技术保护点】
一种发光二极管的外延结构，包括从下至上依次沉积的衬底（1）、过渡层（2）、u型半导体层（3）、n型半导体层（4）、多量子阱层（5）和p型半导体层（6），其特征在于：在所述p型半导体层的顶部沉积一层带有密集孔洞的光栅层（7）。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延结构，包括从下至上依次沉积的衬底(I)、过渡层(2)、u型半导体层(3)、n型半导体层(4)、多量子阱层(5)和p型半导体层(6)，其特征在于:在所述p型半导体层的顶部沉积一层带有密集孔洞的光栅层(J)。2...
【专利技术属性】
技术研发人员：李四明，靳彩霞，董志江，艾常涛，李鸿建，罗绍军，
申请(专利权)人：武汉迪源光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。