一种具有图形衬底的发光二极管制造技术

本发明专利技术提供了一种新的具有图形衬底的发光二极管结构，其衬底以中心为圆心分成5-8个同心环状区域，同一环状区域内的图形的尺寸和图形之间的距离相同，不同环状区域内的图形的尺寸和图形之间的距离由内向外依次递增。本发明专利技术能够降低外延生长过程中的残余应力，减小晶体缺陷，提高内量子效率，从而有利于改善芯片的波长均匀性，改善芯片的漏电，提高芯片的亮度。该技术在采用大尺寸的生长衬底时效果更加明显，有利于减小其翘曲度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体照明
，尤其涉及一种具有图形衬底的发光二极管。
技术介绍
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。传统的芯片制造工艺是在一片衬底上同时制备数百个甚至数千个芯片，每个芯片之间有一定的距离，在制备好这些芯片之后，进行划片、切割将他们分离，最后经后续的封装等工艺得到发光二极管。通常发光二极管的芯片结构为在蓝宝石等衬底上依次外延了 η型半导体层、有源层、P型半导体层的构造。最终的芯片可以是正装结构、倒装结构、垂直结构等。在外延芯片结构时，由于衬底的晶格常数和热膨胀系数等与外延的半导体材料会有差异，使得生长的半导体层中存在残余应力和诸多晶体缺陷，影响了材料的晶体质量，限制了光电子器件性能的进一步提高。目前广泛使用的解决方法是在蓝宝石等衬底上制备图形形成图形化衬底的技术，采用这种图形化衬底可以缓解外延的半导体材料由于晶格失配引起的应力，一定程度上降低其中的位错密度，提高内量子效率。如中国专利申请20101015本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有图形衬底的发光二极管,其结构包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，其特征在于，所述衬底以中心为圆心分成n个同心环状区域，?5≤n≤8，所述环状区域内带有图形；同一环状区域内的图形尺寸相同，图形的垂直深度为0.5?3微米，图形的截面为圆形、椭圆形、矩形或等腰三角形，图形截面的横向尺寸为1?10微米，纵向尺寸为1?10微米；所述横向尺寸由内部环状区域向外部环状区域递增，递增幅度为0.1?2微米。

【技术特征摘要】
2011.10.17 CN 201110315618.31.一种具有图形衬底的发光二极管，其结构包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，其特征在于，所述衬底以中心为圆心分成η个同心环状区域，5 ≤η ≤ 8，所述环状区域内带有图形；同一环状区域内的图形尺寸相同，图形的垂直深度为O. 5-3微米，图形的截面为圆形、椭圆形、矩形或等腰三角形，图形截面的横向尺寸为1-10微米，纵向尺寸为1-10微米；所述横向尺寸由内部环状区域向外部环状区域递增，递增幅度为O. 1-2微米。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，同一环状区域内的图形截面呈阵列分布，且间距相同；当所述图形截面为圆形、椭圆形或矩形时，间距为同一环状区域内的相邻图形截面的中心距离；当所述图形截面为等腰三...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖志国，唐勇，武胜利，李倩影，孙英博，薛念亮，
申请(专利权)人：大连美明外延片科技有限公司，
类型：发明
国别省市：