本发明提供了一种四元AlGaInP发光二极管芯片及其制造方法，其特征在于整个芯片制程完全或绝大部分无金化，此方法适用于多种波长的四元发光二极管，属于光电子制造技术领域。采用此制程方法的四元发光二极管芯片p面采用高透过率导电膜ITO代替A...

本发明提供了一种氮化镓基外延片及生长方法，在n型GaN材料中形成光的微反射层，该层处在有源层和衬底之间，能够将射向衬底的光反射回表面或侧面，减少衬底对光的吸收，提高了LED的外量子效率，进而提高了LED外延片的出光效率。本发明的外延片按...

本发明公开了一种GaN基LED外延片的生长方法，生长InGaN/GaN多量子阱时，在传统的生长条件下，适时适量的通入氢气，可以有效的抑制In的团簇效应，从而改善InGaN/GaN界面的平整度，提高出光效率，并且提高了器件的反向电压，降低...

本发明提供了一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法。在GaN基外延层上蒸镀一层ITO、ZnO或者单层石墨烯透明电极，在透明电极上沉积一层薄SiO2层，利用SiO2在不同温度下退火形成的结晶图形做掩膜，用干法刻蚀刻蚀掉裸露在外的透明电...

一种LED测试机台的清针装置，包括监测装置、清洗装置、干燥装置和控制装置。所述监测装置位于测试机台探针的水平位置；所述清洗装置包括容器瓶、电磁阀、液体导管和导流线；容器瓶通过液体导管与导流线连接，通过电磁阀与外部气源连接；所述干燥装置包...

一种扩张翻转一体化设备，涉及半导体行业晶圆扩张、翻转技术领域。该设备包括操作台、支撑架、上气缸、上托盘、下托盘、金属环支架、切膜刀和锁扣。本实用新型既可以实现常规的扩张步骤，也可以实现翻转步骤，达到投资费用低，操作步骤少，降低耗材的消耗...

本发明提供了一种高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法。采用复合式BDR结构解决了传统DBR反射角小的问题。复合式DBR结构由上、下两层DBR组成，其中下DBR层经过部分氧化，提高了与上DBR层的折射率差，提高了光的反射效率。并且同...

本发明提供了一种发光二极管的研磨下蜡方法，采用增加缓冲层、在液体中下蜡的方式，有效降低裂片率、提高良率，降低成本。减薄前，将载片盘表面用高温膜或镜头纸保护，起到外延片与载片盘间的缓冲作用；将减薄后的外延片连同载片盘放入水溶性去蜡液中进行...

本发明提供一种具有外环电极的发光二极管，其结构自下而上依次为：N型接触电极、基板、分布式布拉格反射镜、N型限制层、有源层、P型限制层、P型窗口层、P型接触电极、焊线电极。环状的P型接触电极被设置在芯片边缘，同时腐蚀去除了P型接触电极下方...

本发明提供了一种新的具有图形衬底的发光二极管结构，其衬底以中心为圆心分成5-8个同心环状区域，同一环状区域内的图形的尺寸和图形之间的距离相同，不同环状区域内的图形的尺寸和图形之间的距离由内向外依次递增。本发明能够降低外延生长过程中的残余...

本发明提供了一种AlGaInP四元系发光二极管外延片及其生长方法。采用金属有机物化学气相沉积在GaP衬底上外延生长AlGaInP四元系半导体发光二极管，采用特殊设计的GaxIn1-xP缓冲层来减小晶格失配对外延层的影响，优化设计生长各层...

本发明公开了一种GaN-LED芯片结构及其制备方法，在衬底和外延层之间形成反射层，在该反射层上形成周期分布的圆柱状图形。根据本发明制备的GaN-LED芯片同时解决晶体质量和出光效率的问题，可以提高LED芯片的发光效率10％-20％左右。

本发明提供一种级联GaN基LED外延片及其制备方法。此外延片结构包括用隧道结级联的多个量子阱结构，其中隧道结采用具有禁带宽度小、较低电离、低的扩散系数等特性的材料；量子阱选择的材料是III-V族化合物。该GaN基LED外延片的结构在衬底...

本发明涉及一种图形化蓝宝石衬底的制备方法。在蓝宝石衬底上积淀介质膜和光学膜，通过湿法或者干法刻蚀加工出周期图形。本发明实现了传统图形化衬底和光学反射镜优势的有机结合，提高器件的内外量子效率。

本发明提供一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法，其采用飞秒激光器对衬底以扫描烧蚀的方式制备出纳米级准周期性结构，普通的激光烧蚀方法仅在表面烧蚀出激光光斑大小的坑，本发明的烧蚀方法能在光斑内形成若干图形；以制备的图形化衬底为模板，使用...

本发明涉及一种发光二极管芯片及其制造方法，特别涉及一种以砷化镓材料为衬底的发光二极管芯片及其制造方法。本发明提出一种在芯片侧面移除部分砷化镓衬底来制作一个填充区域，然后使用透明填充材料对该区域进行填充的发光二极管。这样结构的发光二极管芯...

本发明公开了一种发光二极管芯片，通过将完整的N型限制层、多层量子阱结构、P型限制层、P型电流扩展层分割为尺寸较小的5个块状区域，使P型电流扩展层与GaAs临时基板和其它外延结构间存在的内应力得到释放，提高键合工艺的成品率，降低键合工艺的...

一种GaAs衬底的AlGaInP发光二极管的制备方法：在半切以前，都按正常的工艺流程制作，包括制作电极、研磨、背镀、金属融合步骤，半切时，将芯片正面与粘片机的蓝膜相接触，上片到切割机上，以牺牲了边缘不良品而得到的四条平边为基准线，按照不...

本发明介绍了一种发光二极管成品电性参数测试的校准方法，利用发光二极管成品电性参数测试系统，通过亮度补偿值的方法提高亮度校准的准确性，减少普通校准方法需要的大量时间，提高了测试的产量。

本发明涉及一种基于氮化镓基发光二极管的集成式发光二极管列阵芯片的制备方法。将9颗或12颗发光二极管单元，以矩阵方式排列，组成3乘3或3乘4矩阵，集成于一颗芯片内。在集成芯片内，通过蚀刻技术蚀刻到绝缘的蓝宝石衬底层将各单元之间的氮化镓层完...