【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有P型限制结构的氮化物发光二极管组件，具体的说是一种在活性层与P型层之间形成一局部掺杂P型限制结构的氮化物发光二极管。
技术介绍
随着功率型氮化镓基发光二极管的效率不断提升，用氮化镓基发光二极管半导体灯替代现有的照明光源将成为势不可挡的趋势。然而半导体照明要进入千家万户，还有许多问题需要解决，其中 最核心的问题包括发光效率和可靠性。
技术实现思路
本专利技术提出一种具有局部掺杂P型限制结构的氮化物发光二极管，其可提高发光效率并且具有更低的电压与较佳的老化特性。本专利技术解决上述问题采用的技术方案是氮化物发光二极管，包括由氮化物半导体形成的η型层、活性层和P型层，在P型层与活性层之间还设置有P型限制结构，其特征在于所述P型限制结构为多层结构，其与活性层接触的端部为氮化铝铟镓材料层，所述氮化铝铟镓材料层为局部掺杂，且与活性层的接触面未掺杂。优选地，所述P型限制结构的厚度为50埃 3000埃，其中与活性层接触的端部氮化铝铟镓材料层的厚度为5埃 150埃。优选地，所述氮化铝铟镓材料层为局部掺杂Mg，其掺杂浓度大于IX 1017cm_3。在本专利技术的一些...
【技术保护点】
氮化物发光二极管，?包括由氮化物半导体形成的n型层、活性层和p型层，在p型层与活性层之间还设置有p型限制结构，其特征在于：所述p型限制结构为多层结构，其与活性层接触的端部为氮化铝铟镓材料层，所述氮化铝铟镓材料层局部掺杂，且与活性层的接触面未掺杂。
【技术特征摘要】
1.氮化物发光二极管，包括由氮化物半导体形成的η型层、活性层和P型层，在P型层与活性层之间还设置有P型限制结构，其特征在于所述P型限制结构为多层结构，其与活性层接触的端部为氮化铝铟镓材料层，所述氮化铝铟镓材料层局部掺杂，且与活性层的接触面未掺杂。2.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征是所述P型限制结构的厚度为 50埃 3000埃。3.根据权利要求2所述的氮化物发光二极管，其特征在于所述与活性层接触的端部氮化铝铟镓材料层的厚度为5埃 150埃。4.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于所述氮化铝铟镓材料层为局部掺杂Mg。5.根据权利要求4所述的氮化物发光二极管，其特征在于所述与活性层接触的端部氮化铝铟镓材料层中，Mg掺杂的位置为此端部氮化铝铟镓材料层中间处或后半段处。6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶孟欣，吴志强，李水清，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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