【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光器件及其制作方法，更具体地是一种。
技术介绍
近年来，垂直结构发光二极管已成为研究开发的热点。与传统正装、倒装结构比较，垂直结构LED通过晶圆键合或者电镀、激光剥离(LLO)等工艺的结合，将外延层从生长衬底转移到导电和导热性能良好的金属或者半导体衬底材料上，形成电极上下分布，电流垂直注入，从而解决了正装、倒装结构LED器件中因电极水平分布、电流侧向注入导致的诸如散热不佳，电流分布不均、可靠性差等一系列问题。传统垂直发光二极管制作时，通过对金属加高压和高温进行晶圆键合。具体来讲 是将镀有金或者金锡等易键合金属的外延层键合在同样镀有金属的导电基板上，然后去除生长衬底，制作N电极，形成垂直发光二极管。图1为采用上述方法形成的垂直LED结构示意图，其中η电极位于顶部，其存在会遮挡并吸收有源层发出的光。
技术实现思路
本专利技术旨在提出一种，通过利用异方性导电材料的特性配合具有凹凸起伏的导电基板，使异方性导电材料在凹凸基板和发光外延层之间形成垂直方向导通横向绝缘的键合层，从而形成一种具有电流阻挡功能的垂直发光二极管。根据本专利技术的第一个方面，具有...
【技术保护点】
具有电流阻挡功能的垂直发光二极管，包括：导电基板，包括正反两个主表面，其正表面上形成图案化凹凸结构；异方性导电材料层，位于上述具有凹凸结构的导电基板正表面上，且其与导电基板的凸起部形成电性连接，与导电基板的凹陷部形成非电性连接，从而构成电流阻挡结构；发光外延结构，形成于所述异方性导电材料层上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾晓强，赵志伟，陈顺平，杨建健，林大铨，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。