氮化物半导体模板及发光二极管制造技术

本发明专利技术的课题是提供一种低电阻、结晶性良好的氮化物半导体模板以及使用该氮化物半导体模板的发光二极管。氮化物半导体模板(10)具备：基板(11)；在基板(11)上形成作为添加了O（氧）的O添加层的O掺杂GaN层(12)、在O掺杂GaN层(12)上形成作为添加了Si的Si添加层的Si掺杂GaN层(14)而成的Ⅲ族氮化物半导体层，Ⅲ族氮化物半导体层的整体的膜厚为4μm以上10μm以下，Si掺杂GaN层(14)中的Si的平均载流子浓度为1×1018cm-3以上5×1018cm-3以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及设置在基板上的GaN系膜，因此容易推测即使缓冲层不是AlN也可得到本专利技术要实现的效果。(变形例5)在η型III族氮化物半导体层中，也可以逐渐地改变氧浓度和Si浓度。此外，在O掺杂GaN层13整体中，也可以均匀地掺杂氧。此外，本专利技术不限定于上述实施方式和上述实施例，在不改变专利技术的主旨的范围内能够进行多种变形实施。第I的III族氮化物半导体的厚度方向的O的杂质浓度可以低于第I的III族氮化物半导体中的Si的载流子浓度。符号说明I为HVPE装置；2为反应炉；3a为原料部；3b为生长部；4a为原料部加热器；4b为生长部加热器；5为盘；5a为设置面；5b为旋转轴；6为气体供给管线；7为槽；7a为Ga熔融液；9为排气管；10、100、200为氮化物半导体模板；11为PSS基板；lla为凸部；12为AlN缓冲层；13为O掺杂GaN层；14为Si掺杂GaN层；21为带有缓冲层的PSS基板；22为III族氮化物半导体层；30为发光二极管用外延片；31为η型GaN层；32为InGaN/GaN多量子阱层；33为ρ型AlGaN层；34为ρ型GaN接触层；40为发光二极管；41本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体模板，其具备：基板；在所述基板上形成添加了O（氧）的O添加层、在所述O添加层上形成添加了Si的Si添加层而成的Ⅲ族氮化物半导体层，所述Ⅲ族氮化物半导体层的整体的膜厚为4μm以上10μm以下，所述Si添加层中的Si的平均载流子浓度为1×1018cm?3以上5×1018cm?3以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：今野泰一郎，藤仓序章，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：