具有电流阻挡结构的垂直发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管，包括：位于底层的金属衬底；位于金属衬底表面的种子层；位于种子层表面的反射层；位于反射层表面的多个第一电流阻挡结构；位于第一电流阻挡结构背离反射层一侧的外延层，外延层完全覆盖第一电流阻挡结构和反射层；位于外延层表面的电极焊条，电极焊条位于第一电流阻挡结构沿金属衬底至第一电流阻挡结构方向的正上方；位于外延层表面的第二电流阻挡结构，第二电流阻挡结构与第一电流阻挡结构在金属衬底上的投影不交叠；位于第二电流阻挡结构表面的电极焊盘。加强了焊盘区域对应的外延层部分的结构强度，在后续封装打线时，电极焊盘对应的外延层不易断裂，提高了封装良率。

【技术实现步骤摘要】
具有电流阻挡结构的垂直发光二极管及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管及其制造方法。
技术介绍
近年来，随着半导体技术的飞速发展，发光二极管作为一种重要的半导体器件也取得了长足的进步。其中，GaN基发光二极管具有光电转化率高、寿命长、无污染、响应速度快和功耗低等优点，应用在显示和照明等诸多领域。20世纪90年代，GaN材料的外延技术获得了突破性进展，时至今日，垂直结构的发光二极管成为了LED研究的热点。垂直结构发光二极管制造过程需要进行衬底转移，N电极和P电极呈上下分布，电流垂直流过外延层，与传统的正装结构LED相比，具有较好的电流注入效率和导热性能。垂直结构发光二极管的N电极一般位于出光面顶部，会遮挡和吸收发光层的光，从而降低了垂直结构发光二极管的光提取效率。现有技术为了解决这个问题，在垂直结构发光二极管中增加了电流阻挡结构，如图1所示，现有技术具有电流阻挡结构的垂直发光二极管包括：金属衬底11、种子层12、反射层13、电流阻挡结构14、P型GaN层15、有源层16、N型GaN层17、N型电极焊条18和N型电极焊盘19，其中P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管，其特征在于，包括：位于底层的金属衬底；位于所述金属衬底表面的种子层；位于所述种子层表面的反射层；位于所述反射层表面的多个第一电流阻挡结构；位于所述第一电流阻挡结构背离所述反射层一侧的外延层，所述外延层完全覆盖所述第一电流阻挡结构和所述反射层；位于所述外延层表面的电极焊条，所述电极焊条位于所述第一电流阻挡结构沿所述金属衬底至所述第一电流阻挡结构方向的正上方；位于所述外延层表面的第二电流阻挡结构，所述第二电流阻挡结构与所述第一电流阻挡结构在所述金属衬底上的投影不交叠；位于所述第二电流阻挡结构表面的电极焊盘。

【技术特征摘要】
1.一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管，其特征在于，包括：位于底层的金属衬底；位于所述金属衬底表面的种子层；位于所述种子层表面的反射层；位于所述反射层表面的多个第一电流阻挡结构；位于所述第一电流阻挡结构背离所述反射层一侧的外延层，所述外延层完全覆盖所述第一电流阻挡结构和所述反射层；位于所述外延层表面的电极焊条，所述电极焊条位于所述第一电流阻挡结构沿所述金属衬底至所述第一电流阻挡结构方向的正上方；位于所述外延层表面的第二电流阻挡结构，所述第二电流阻挡结构与所述第一电流阻挡结构在所述金属衬底上的投影不交叠；位于所述第二电流阻挡结构表面的电极焊盘。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电流阻挡结构与所述电极焊条在所述金属衬底上的投影完全重合。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电流阻挡结构与所述电极焊盘在所述金属衬底上的投影完全重合。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层包括：位于所述第一电流阻挡结构背离所述反射层一侧的第一氮化镓层，所述第一氮化镓层完全覆盖所述第一电流阻挡结构和所述反射层；位于所述第一氮化镓层表面的有源层；位于所述有源层表面的第二氮化镓层；其中，所述第一氮化镓层与所述第二氮化镓层的掺杂类型不同。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一氮化镓层为P型氮化镓层，所述第二氮化镓层为N型氮化镓层；或，所述第一氮化镓层为N型氮化镓层，所述第二氮化镓层为P型氮化镓层。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，还包括：位于所述反射层与所述种子层之间的扩散阻挡层。7.一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：康学军，徐亮，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44