发光二极管结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管结构及其制造方法，发光二极管结构包括：一基板，其上具有第一半导体层、发光层及第二半导体层，且发光层及第一半导体层依序堆栈于该第二半导体层上；第一接触电极，位于第一半导体层与该基板之间，并具有突出部延伸至第二半导体层中；阻障层，顺应性覆盖于第一接触电极上，且暴露出突出部分的顶部；电流阻挡组件，位于阻障层上，并围绕突出部分的至少一部分的侧壁；以及第二接触电极，位于第一半导体层及第一接触电极之间，藉由阻障层与第一接触电极电性隔离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管结构，尤其涉及一种能改善电流聚集的。
技术介绍
发光二极管(light emitting diode,以下皆简称为LED)具有高亮度、体积小、重量轻、不易破损、低耗电量和寿命长等优点，所以被广泛地应用各式显示产品中，其发光原理为，当施予二极管顺向偏压时，P型区的多数载子电洞会往η型区移动，而η型区的多数载子电子则往P型区移动，最后电子与电洞两载子会在P-η接面的空乏区复合，此时因电子由传导带移转至价带后丧失能阶，同时以光子的模式释放出能量而产生光。在传统的水平式LED装置中，接触电极设计为水平位向，容易产生电流聚集的问题。例如，电子在η型外延层和P型外延层中横向流动不等的距离，而导致LED的发光不均。 此外，LED的接触电极势必要覆盖在发光面上，损失了发光面积，仅有约65%的发光面积可被利用。使用垂直式LED装置可改善水平式LED装置所遭遇的上述问题。在垂直式LED结构中，两个电极分别位于LED的η型外延层和P型外延层的两侧，由于全部的P型外延层皆可作第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，可以改善平面结构的电流分布问题，提高发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的结构，包括：一基板，其上具有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层，其中该发光层及该第一半导体层依序堆栈于该第二半导体层上，且该第一及该第二半导体层具有相反的导电型态；一第一接触电极，位于第一半导体层与该基板之间，并具有一突出部分延伸至该第二半导体层中；一阻障层，顺应性覆盖于该第一接触电极上，且暴露出该突出部分的顶部；一电流阻挡组件，位于该阻障层上，并围绕该突出部分的至少一部分的侧壁；以及一第二接触电极，位于该第一半导体层及该第一接触电极之间，与该第一半导体层直接接触，且藉由该阻障层与该第一接触电极电性隔离。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱瑞溢，方国龙，陈俊荣，郭奇文，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：