【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光元件，尤其涉及具改善性能表现的发光二极管。
技术介绍
倒装结构(Flip Chip)的发光二极管LED为了增加光的反射，如图1所示，会在第二半导体层123 (例如P型半导体层)上设置金属反射层(miiror)130。而为了增加倒装接合时的接合面积，与第一半导体层121 (例如η型半导体层)电性相接的第一电极150 (例如η型电极)，除了和第一半导体层121接触的接触区150a外，也会向周围延伸，如图1的延伸区150b。如此,在金属反射层130和第一半导体层121的第一电极150的延伸区150b间，需要施作电性绝缘层140，以电性隔绝两者。为了改善电性，金属反射层130需要经过热处理工艺(如退火)以达到优选的欧姆接触特性，经过热处理后，此金属反射层130和底下的第二半导体层123的接触会较好，可降低元件的正向电压Vf。但在热处理之后，因为热处理使得金属发生氧化变质，降低后续的附着力，使金属反射层130与后续覆盖其上的电性绝缘层140间的附着力不佳，造成在后续工艺，例如在制作金属电极光致抗蚀剂剥离(liftoff)工艺时，产生电性绝缘层140(...
【技术保护点】
一种发光元件，包括：半导体叠层；反射层，位于该半导体叠层之上；第一缓冲层，包括由金属元素及非金属元素所组成的化合物，位于该反射层之上；第一电极；以及电性绝缘层，位于该第一缓冲层与该第一电极之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王佳琨，沈建赋，陈昭兴，杨於铮，叶慧君，古依雯，陈宏哲，林植南，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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