一种霍尔传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种霍尔传感器，它包括转子件、霍尔元件以及磁铁件，所述磁铁件包括分离设置的半圆形磁铁A及半圆形磁铁B，霍尔元件设置于半圆形磁铁A或半圆形磁铁B的中段位置。所述转子件包括收容磁铁件的收容腔，所述收容腔包括固定收容半圆形磁铁A的第一收容腔及固定收容半圆形磁铁B的第二收容腔。本实用霍尔传感器可以无触点、连续的采集信号，使用寿命长，安全系数高。

【技术实现步骤摘要】
一种霍尔传感器
本技术涉及传感器领域，具体涉及一种霍尔传感传感器。
技术介绍
波段开关是在各类数控机械、智能设备中广泛应用的操作部件。机械式波段开关虽然结构简单、生产成本低，但是机械式波段开关中通过两个触片相互触动，实现开关导通与关闭，但在实际应用中动触片和静触片长期相互接触，会出现静触片变形或动触片断裂的情况，造成机械式波段开关接触不良；另外，机械式波段开关裸露在空气中无保护，动触片和静触片容易被氧化，从而接触不良。
技术实现思路
本技术的目的就是为了弥补现有技术的缺陷，提供一种无触点且可进行180°位置检测的霍尔传感器。为了实现上述目的，本技术提供了一种霍尔传感器，它包括转子件、霍尔元件以及磁铁件，所述磁铁件包括分离设置的半圆形磁铁A及半圆形磁铁B，霍尔元件设置于半圆形磁铁A或半圆形磁铁B的中段位置。所述转子件包括收容磁铁件的收容腔，所述收容腔包括固定收容半圆形磁铁A的第一收容腔及固定收容半圆形磁铁B的第二收容腔。优选的霍尔传感器包括上盖，上盖设有端子卡槽。优选的上盖为中空设置，转子件包括突出上盖的转子轴，转子轴可带动磁铁件进行0度～180度旋转。优选的半圆形磁铁A及半圆形磁铁B的接口处的空隙为0nm～2cm。优选的半圆形磁铁A及半圆形磁铁B相对的一边的接口处的空隙为0nm，半圆形磁铁A及半圆形磁铁B相对的另一边的接口处的空隙为5nm～1cm。优选的霍尔传感器包括底座，磁铁件安装于底座与上盖之间。本实用霍尔传感器可以无触点、连续的采集信号，使用寿命长，安全系数高。本技术中的霍尔传感器通过两个分离式磁铁、霍尔元件设于半圆形磁铁A或半圆形磁铁B的中段位置的结构，可实现霍尔元件检测到从半圆形磁铁A中段位置到半圆形磁铁B中段位置的电磁场强度，半圆形磁铁A中段位置到半圆形磁铁B中段位置的电磁场强度的每个点的电磁场强度不同，通过霍尔元件检测到的电压不同，若霍尔元件应用于火力调节开关，即可实现180度的从小火到持续大火的调节。附图说明图1是本技术的霍尔传感器；图2是图1的本技术的爆炸图；具体实施方式下面将结合说明书附图，对本技术做进一步的说明。如图1和图2所示，本技术提供一种霍尔传感器100，霍尔传感器100包括上盖1，转子件2、霍尔元件3以及磁铁件，所述磁铁件包括分离设置的半圆形磁铁A及半圆形磁铁B，霍尔元件3设置于半圆形磁铁A或半圆形磁铁B的中段位置。上盖1设有端子卡槽12。端子卡槽12凸伸出上盖，霍尔元件3装于端子卡槽12中，端子卡槽12位于半圆形磁铁A的中端位置，霍尔元件3设有若干导线31以与电路板进行连接。所述转子件2包括收容磁铁件的收容腔22，所述收容腔22包括固定收容半圆形磁铁A的第一收容腔及固定收容半圆形磁铁B的第二收容腔。在本实施方式中，收容半圆形磁铁A的第一收容腔及固定收容半圆形磁铁B的第二收容腔为贯通设置，其他实施方式中，收容半圆形磁铁A的第一收容腔及固定收容半圆形磁铁B的第二收容腔可隔断设置。本实施例中，在半圆形磁铁A的中端位置时，霍尔元件检测到的电压值为半圆形磁铁A或者半圆形磁铁B磁铁所在两点电压的平均值。霍尔传感器100还包括底座4，磁铁件安装于底座4与上盖1之间。底座4对应霍尔元件3的导线31设有导线卡槽，用以将导线31进行卡位。上盖1与底座4通过热压固定在一起。在安装过程中，上盖1的塑壳里拉伸出柱子，上盖1与底座4安装后，将柱子烫平用以固定上盖1与底座4，采用上述热压固定的方式可以减少成本和缩小产品体积。在其他实施方式中，上盖1与底座4还可通过螺钉固装或卡扣固装。上盖1为中空设置，设有中空腔11，转子件2包括突出上盖中空腔的转子轴21，转子轴21为中空结构，且与外部转动阀紧密干涉配合，转动阀带动转子轴21，且转子轴21带动磁铁件进行0度～180度旋转。半圆形磁铁A及半圆形磁铁B的接口处的空隙为0mm～2cm。在本实施例中半圆形磁铁A及半圆形磁铁B相对的一边的接口处的空隙为0mm，半圆形磁铁A及半圆形磁铁B相对的另一边的接口处的空隙为2mm～1cm。以霍尔元件3所在的半圆形磁铁A的中间位置为基点，半圆形磁铁A随转子轴以转子轴为轴心旋转，转动到半圆形磁铁B原来所在的中心位置，可转动180度，本实施例中，半圆形磁铁A的内环为N极，外环为S极，半圆形磁铁B的内环为S极，外环为N极。在其他实施例中，半圆形磁铁A和半圆形磁铁B的内环及外环的磁性可根据需要进行对应调整。转子轴21为轴心顺时针方向旋转，装于转子件2中的半圆形磁铁A和半圆形磁铁B也随转子件同时旋转，随着半圆形磁铁A和半圆形磁铁B的旋转，霍尔元件3所在位置处的磁场强度也随之变化，检测到的电流值亦从小到大逐渐增强。半圆形磁铁A中段位置到半圆形磁铁B中段位置的电磁场强度的每个点的电磁场强度不同，通过霍尔元件3检测到的电压不同，若霍尔元件应用于火力调节开关，即可实现180度的从小火到持续大火的调节。本技术中霍尔元件3是可以进行360度旋转，因磁铁环形充磁后磁感线强度呈左右对称，为了便于组装，故我们采取2块180度的磁铁用以有效的去电压值和同时降低生产成本，0度-180度和181-360检测的电压值是重复的。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出：对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种霍尔传感器，它包括转子件、霍尔元件以及磁铁件，其特征在于：所述磁铁件包括分离设置的半圆形磁铁A及半圆形磁铁B，霍尔元件设置于半圆形磁铁A或半圆形磁铁B的中段位置。

【技术特征摘要】
1.一种霍尔传感器，它包括转子件、霍尔元件以及磁铁件，其特征在于：所述磁铁件包括分离设置的半圆形磁铁A及半圆形磁铁B，霍尔元件设置于半圆形磁铁A或半圆形磁铁B的中段位置。2.根据权利要求1所述的霍尔传感器，其特征在于：所述转子件包括收容磁铁件的收容腔，所述收容腔包括固定收容半圆形磁铁A的第一收容腔及固定收容半圆形磁铁B的第二收容腔。3.根据权利要求2所述的霍尔传感器，其特征在于：所述霍尔传感器包括上盖，上盖设有端子卡槽，所述霍尔元件固装于端子卡槽中。4.根据权利要求3所述的霍尔传感器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振华，陈禹生，俞孝锋，
申请(专利权)人：浙江新涛电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33