一种有机发光二极管散射层的制备方法及其产品技术

本申请涉及显示技术领域，具体讲，涉及一种有机发光二极管散射层的制备方法及其产品。本申请将玻璃化转变温度低于120℃的材料蒸镀于设置有顶发光有机发光二极管的出光面形成薄膜，再进行固化退火处理。本申请通过在顶发光OLED器件出光面蒸镀一层低玻璃化转变温度的材料，然后通过退火使该层雾化，达到光取出和散射的作用，可提高顶发光OLED的光取出效率并改善视角。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示
，具体讲，涉及一种有机发光二极管散射层的制备方法及其产品。
技术介绍
OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，同时具备自发光、不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快，可制成固态平板显示面板、固态挠曲性面板和透明面板，适用温度范围广、构造及制备工艺简单等优异特性。近几年通过对新材料的不断探索以及器件结构和工艺的进一步优化，有机电致发光器件已经取得了长足进步，但是要在平板显示市场上充分发挥其优势，有机电致发光器件的发光效率、色度、驱动电压、寿命、器件稳定性等方面还需要进一步改善。其中，阳极材料的表面功函数、电阻率、光学特性、化学稳定以及与基底驱动电路和有机层兼容性是否匹配，是决定OLED器件光电性能和广品率提闻的关键因素。顶部发光OLED器件是将像素驱动电路制作在器件下方，这解决了OLED器件像素驱动电路和显示发光面积相互竞争的问题，从而提高了显示器件的开口率。制作一个高效的顶部发光有机电致发光器件，必须具备条件之一就是要有低电阻、高反射率、电化学性能稳定，并与基底和空穴注入层材料实现良好兼容和匹配的底电极。在顶发光器件中，由于存在微腔效应，视角问题无法避免。专利申请201510494601.7给出了一种将聚丁二烯-聚苯乙烯的嵌段聚合物溶液刮涂于设置有机发光二极管的基板的出光面形成薄膜，再进行固化退火处理涂覆的方法。由于OLED器件的阴极比较活波，一般真空蒸镀制备完阴极后，必须经过封装，阻隔空气，才能保证器件的正常工作。因此该方法只适用于底发光器件，此时发光面在玻璃基板，此时通过刮涂的方法制备散射层，不会破坏OLED器件结构。而对于顶发光器件，出光面就是OLED阴极，此时如果采用挂涂的方法，会破坏OLED器件结构，导致器件寿命低甚至无法正常工作。鉴于此，特提出本申请。
技术实现思路
本申请的首要专利技术目的在于提出一种有机发光二极管散射层的制备方法。本申请的第二专利技术目的在于提出含有该有机发光二极管散射层的有机发光二极管产品。为了完成本申请的目的，采用的技术方案为：本申请涉及一种有机发光二极管散射层的制备方法，将玻璃化转变温度低于120℃的材料真空蒸镀于顶发光有机发光二极管的出光面形成薄膜，再进行固化退火处理。优选的，所述真空蒸镀的条件为：在气压低于10-2Pa条件下，将所述材料加热至100～500℃，将汽化后的所述材料以0.1～2nm/s的速率沉积于所述顶发光有机发光二极管的出光面。优选的，所述蒸镀后形成薄膜的厚度为20～500nm。优选的，所述固化退火处理的条件为在80～100℃的条件下保持1～4小时。优选的，所述材料的玻璃化转变温度低于100℃。优选的，所述材料选自分子量为300～800、且在420～680nm可见光范围无吸收的化合物。优选的，所述化合物选自如式I、式II、式III、式IV所示的化合物中的至少一种；其中，R11、R12、R13、R14、R21、R22、R31、R32、R41、R42、R43、R44各自独立的分别选自取代或未取代的C6～26芳基、C5～22芳杂基；取代基选自C1～6烷基。优选的，所述芳烃类化合物选自以下化合物中的至少一种：本申请还涉及一种顶发光有机发光二极管，所述有机发光二极管的出光面上设置有如本申请的制备方法制备得到的散射层。优选的，所述散射层在400～700nm波长范围内的透光率为75～95％，雾度为5～40％。本申请的技术方案至少具有以下有益的效果：本申请通过在顶发光OLED器件出光面蒸镀一层低玻璃化转变温度(Tg)的材料，然后通过退火使该层雾化，达到光取出和散射的作用，可提高顶发光OLED的光取出效率并改善视角。附图说明图1为本申请顶发光有机发光二极管散射层的示意图；图2为本申请顶发光有机发光二极管散射层的示意图。其中：1-散射层；2-顶电极(Ag-15nm)；3-有机功能层(HIL/HTL/EML/EIL)；4-底电极(ITO/Ag/ITO)；5-光学耦合层(CPL)。具体实施方式在顶发光器件中，由于存在微腔效应，视角问题无法避免。目前为了解决视角问题，有采用底发光，然而底发光存在开口率不足的缺陷。采用透明金属氧化物(TCO)作为阴极，然而TCO需要溅射制备，对有机膜层损伤较大。其他诸如采用非平面衬底、出光面制备光学微透镜、封装层添加散射粒子等方法均存在较大的工艺难度。由于手机使用的高分辨率AMOLED的玻璃基板上具有较多的TFT电路，所以一般只能采用顶发光器件结构。本申请人通过锐意研究，提出了一种有机发光二极管散射层的制备方法，具体为：将玻璃化转变温度低于120℃的材料蒸镀于顶发光有机发光二极管的出光面形成薄膜，再进行固化退火处理，诱导分子结晶化，形成具有微结构的薄膜(即散射层1)，具有一定的雾度，产生散射效果，从而解决了视角问题。散射效果的示意图如图1和2所示。作为本申请制备方法的一种改进，真空蒸镀的条件为：在气压低于10-2Pa条件下，将所述材料加热至100～500℃，将汽化后的材料以0.1～2nm/s的速率沉积于顶发光有机发光二极管的出光面。其中，气压优选为2×10-4Pa～10-2Pa，加热温度优选为220～240℃，沉积速率优选为0.2～1nm/s。并且可将材料放置于坩埚内进行加热。作为本申请制备方法的一种改进，所述蒸镀后形成薄膜的厚度为20～500nm，并优选40～100nm，进一步优选50～60nm。如果厚度过大，会带来透光率降低的缺陷，而如果厚度过薄，其对改善视角的作用有限。作为本申请制备方法的一种改进，所述固化退火处理的条件为在80～100℃的条件下保持1～4小时，并优选在90～100℃的条件下保持3～4小时。在该范围内，蒸镀的材料发生结晶，形成具有结晶层，从而具有雾化的效果。作为本申请制备方法的一种改进，材料的玻璃化转变温度低于100℃。该材料的玻璃化转化温度高，可能影响器件的光电性能和寿命。本申请通过选用玻璃化转化温度低于100℃的材料，不会影响器件的性能。作为本申请制备方法的一种改进，材料选自分子量为300～800、且在420～680nm可见光范围无吸收的化合物。并进一步优选结构比较对称、分子平面性比较好的芳烃类化合物。作为本申请制备方法的一种改进，化合物选自如式I、式II、式III、式IV所示的化合物中的至少一种；其中，R11、R12、R13、R14、R21、R22、R31、R32、R41、R42、R43、R44各自独立的分别选自取代或未取代的C6～26芳基、C5～22芳杂基；取代基选自C1～6烷基。碳原子数为6～26的芳基，例如苯基、苯烷基、至少含有一个苯基的芳基如联苯基、稠环芳烃基如萘、蒽、菲均可，联苯基和稠环芳烃基还可被烷基或是烯基所取代。优选地，选择碳原子数为6～16的芳基，进一步优选地，选择碳原子数为6～14的芳基，更进一步优选地，选择碳原子数为6～9的芳基。作为芳基的实例，具体可以举出：苯基、苄基、联苯基、对甲苯基、邻甲苯基、间甲苯基。碳原子数为5～26的芳杂基，可选自：呋喃基、噻吩基、吡咯基、噻唑基、咪唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、喹啉基。优选的，R11、R12、R13、R14、R21、R22各自独立的分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管散射层的制备方法，其特征在于，将玻璃化转变温度低于120℃的材料真空蒸镀于顶发光有机发光二极管的出光面形成薄膜，再进行固化退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管散射层的制备方法，其特征在于，将玻璃化转变温度低于120℃的材料真空蒸镀于顶发光有机发光二极管的出光面形成薄膜，再进行固化退火处理。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述真空蒸镀的条件为：在气压低于10-2Pa条件下，将所述材料加热至100～500℃，将汽化后的所述材料以0.1～2nm/s的速率沉积于所述顶发光有机发光二极管的出光面。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀后形成薄膜的厚度为20～500nm。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述固化退火处理的条件为在80～100℃的条件下保持1～4小时。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述材料的玻璃化转变温度低于100℃。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述材料选自分子量为3...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵超，李维维，敖伟，周斯然，刘金强，罗志忠，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32