一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置，通过在LED芯片单元的侧边形成导电单元，且导电单元包括形成于LED芯片单元中第一电极侧边，与第一电极电连接的第一导电层；形成于LED芯片单元中第二电极侧边，与第二电极电连接的第二导电层；形成于LED芯片单元中氮化镓层侧边的中间隔离层。从而在横向上使LED芯片单元和导电单元连成整体的电连接通道，省去了传统LED中用于导电通道的焊接金线，降低了LED芯片器件的总厚度，提高了LED芯片的导热效果、增加整体稳定性，改善了LED芯片表面的出光效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED封装
，具体可以涉及一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)照明的出现促使照明领域的又一次改革，LED具有小型固体化、耐振动、瞬间启动快和快响应、节能且寿命长、绿色高效等许多优点，在普通照明、 背光源、装饰照明上的应用日益广泛。大功率高亮度LED具有取代白炽灯的巨大前景。工业上，产生白光的途径之一是利用荧光粉覆盖蓝光氮化镓基LED。氮化镓基LED 有两种基本结构横向结构(lateral)和垂直结构(vertical)。横向结构LED的两个电极在LED的同一侧，电流在GaN层中横向流动，具有较大电阻和热量。而垂直结构的氮化镓基LED的两个电极分别在氮化镓基LED的两侧，电流几乎全部垂直流过氮化镓基外延层，因此电流分布均匀，电阻降低，抗静电能力提高，电流产生的热量、电压降低。由于垂直结构的氮化镓基LED拥有众多优点，因此LED行业的大公司都在研究垂直结构的封装工艺和产业化工艺。目前，LED的封装结构非常多，但大多数封装结构都需要用到金线，即将金线焊接在LED芯片的电极上。由于LED芯片的出光正面焊接电极和金线会阻挡部分光线，因此出光效率较低， 出光一致性较差。其次焊接金线 需要精密仪器和复杂工艺的配合，因此操作过程繁琐、成本投入较高。
技术实现思路
本专利技术提供一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置，从而可提高LED芯片的导热效果、增加整体稳定性，改善LED芯片表面的出光效果。本专利技术提供方案如下本专利技术实施例提供了一种LED芯片封装结构，包括LED芯片单元，以及导电单元;其中，所述LED芯片单元中，形成有第一电极、氮化镓层以及第二电极，且所述氮化镓层形成于在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极形成于所述氮化镓层之上；所述导电单元包括形成于所述第一电极侧边，与所述第一电极电连接的第一导电层；形成于所述第二电极侧边，与所述第二电极电连接的第二导电层；形成于所述氮化镓层侧边的中间隔离层，所述中间隔离层位于所述第一导电层和第二导电层之间。优选的，所述氮化镓层包括衬底；形成于所述衬底之上的p_型氮化镓结晶基板；形成于所述p_型氮化镓结晶基板之上的发光层；形成于所述发光层之上的n_型氮化镓结晶基板。优选的，所述第一导电层和第二导电层为透明导电材料。优选的，所述中间隔离层为透明导热绝缘材料。优选的，所述第一导电层与所述第一电极厚度相同；和/或所述中间隔离层与所述氮化镓层厚度相同；和/或所述第二导电层与所述第二电极厚度相同。优选的，所述第二导电层还形成于所述第二电极的底侧。优选的，所述第一导电层还形成于所述第一电极的顶侧。优选的，所述LED芯片封装结构设置于一支撑架中；所述支撑架包括 第一导电通道和第二导电通道；所述第一导电通道与所述第一导电层连接；所述第二导电通道与所述第二导电层连接。本专利技术实施例还提供了一种LED芯片封装结构制作方法，包括将LED芯片单元间隔固定于支撑架中，所述LED芯片单元中形成有第一电极、氮化镓层以及第二电极，且所述氮化镓层形成于在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极形成于所述氮化镓层之上；在所述支撑架上表面与任意两个相邻LED芯片单元之间的间隔部相对应的区域， 形成LED芯片封装结构中导电单元所包括的第二导电层，所述第二导电层与所述第二电极电连接；在所述第二导电层之上，形成导电单元所包括的中间隔离层；在所述中间隔离层之上，形成导电单元中所包括的第一导电层，所述第一导电层与所述第一电极电连接。优选的，所述方法在形成导电单元中的第一导电层之后，还包括在所述第一电极和第一导电层之上，形成树脂荧光胶层。本专利技术实施例还提供了一种LED芯片封装结构制作方法，包括依次形成LED芯片封装结构中导电单元的层级结构，所述导电单元包括第一导电层、中间隔离层以及第二导电层，所述中间隔离层位于所述第一导电层和第二导电层之间， 所述第一导电层位于所述中间隔离层之上；在所述导电单元的层级结构中，形成凹槽；将LED芯片封装结构中LED芯片单元安置于所述凹槽中，所述LED芯片单元中包括第一电极、氮化镓层以及第二电极，且 所述氮化镓层形成于在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极形成于所述氮化镓层之上，所述第二电极与所述第二导电层电连接，所述第一电极与所述第一导电层电连接。优选的，所述凹槽贯穿所述导电单元的层级结构；或者所述凹槽底部留有预设厚度的第二导电层。本专利技术实施例还提供了 一种显示装置，所述显示装置包括上述本专利技术实施例提供 的LED芯片封装结构。从以上所述可以看出，本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构及制作方法、显示 装置，通过在LED芯片单元的侧边形成导电单元，且导电单元包括形成于所述第一电极侧 边，与所述第一电极电连接的第一导电层；形成于所述第二电极侧边，与所述第二电极电连 接的第二导电层；形成于所述氮化镓层侧边的中间隔离层。从而在横向上使LED芯片单元 和导电单元连成整体的电连接通道，省去了传统LED中用于导电通道的焊接金线，降低了 LED芯片器件的总厚度，提高了 LED芯片的导热效果、增加整体稳定性，改善了 LED芯片表面 的出光效果。附图说明图1为本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构示意图一；图2为本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构中氮化镓层结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构制作方法流程示意图一；图4为本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构示意图二 ；图5为本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构示意图三；图6为本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构制作方法流程示意图二 ；图7为本专利技术实施例提供的LED芯片封装结构制作方法具体实现过程示意图一。具体实施例方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例 的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发 明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术 人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有 一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第 一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的 组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。 “连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的 连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被 描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。本专利技术实施例提供了一种LED芯片封装结构，如附图1所示，具体可以包括LED 芯片单元1，以及导电单元2;其中，LED芯片单元1中形成有第一电极11、氮化镓层12以及第二电极13，且所述氮化 镓层12形成于在所述第一电极11和第二电极13之间，所述第一电极11形成于所述氮化 镓层12之上； 所述导电单元2包括形成于所述第一电极11侧边，与所述第一电极电连接的第一导电层21 ；形成于所述第二电极13侧边，与所述第二电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片封装结构，其特征在于，包括：LED芯片单元，以及导电单元；其中，所述LED芯片单元中，形成有第一电极、氮化镓层以及第二电极，且所述氮化镓层形成于在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极形成于所述氮化镓层之上；所述导电单元包括：形成于所述第一电极侧边，与所述第一电极电连接的第一导电层；形成于所述第二电极侧边，与所述第二电极电连接的第二导电层；形成于所述氮化镓层侧边的中间隔离层，所述中间隔离层位于所述第一导电层和第二导电层之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑卫新，马国恒，杨东升，乔中莲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方茶谷电子有限公司，
类型：发明
国别省市：