一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置，通过在LED芯片单元的侧边形成导电单元，且导电单元包括形成于LED芯片单元中第一电极侧边，与第一电极电连接的第一导电层；形成于LED芯片单元中第二电极侧边，与第二电极电连接的第二导电层；形成于LED芯片单元中氮化镓层侧边的中间隔离层。从而在横向上使LED芯片单元和导电单元连成整体的电连接通道，省去了传统LED中用于导电通道的焊接金线，降低了LED芯片器件的总厚度，提高了LED芯片的导热效果、增加整体稳定性，改善了LED芯片表面的出光效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED封装
，具体可以涉及一种LED芯片封装结构及制作方法、显示装置。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)照明的出现促使照明领域的又一次改革，LED具有小型固体化、耐振动、瞬间启动快和快响应、节能且寿命长、绿色高效等许多优点，在普通照明、 背光源、装饰照明上的应用日益广泛。大功率高亮度LED具有取代白炽灯的巨大前景。工业上，产生白光的途径之一是利用荧光粉覆盖蓝光氮化镓基LED。氮化镓基LED 有两种基本结构横向结构(lateral)和垂直结构(vertical)。横向结构LED的两个电极在LED的同一侧，电流在GaN层中横向流动，具有较大电阻和热量。而垂直结构的氮化镓基LED的两个电极分别在氮化镓基LED的两侧，电流几乎全部垂直流过氮化镓基外延层，因此电流分布均匀，电阻降低，抗静电能力提高，电流产生的热量、电压降低。由于垂直结构的氮化镓基LED拥有众多优点，因此LED行业的大公司都在研究垂直结构的封装工艺和产业化工艺。目前，LED的封装结构非常多，但大多数封装结构都需要用到金线，即将金线焊接在LED芯片的电极上。由于LED芯片的出光正面焊接电极和金线会阻挡部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片封装结构，其特征在于，包括：LED芯片单元，以及导电单元；其中，所述LED芯片单元中，形成有第一电极、氮化镓层以及第二电极，且所述氮化镓层形成于在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极形成于所述氮化镓层之上；所述导电单元包括：形成于所述第一电极侧边，与所述第一电极电连接的第一导电层；形成于所述第二电极侧边，与所述第二电极电连接的第二导电层；形成于所述氮化镓层侧边的中间隔离层，所述中间隔离层位于所述第一导电层和第二导电层之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑卫新，马国恒，杨东升，乔中莲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方茶谷电子有限公司，
类型：发明
国别省市：