能够减小不均匀亮度分布的LED阵列制造技术

能够减小不均匀亮度分布的LED阵列。一种半导体发光阵列包括被设置在第一方向较长的长方形基板上并且沿着第一方向排列的多个半导体发光元件。各个半导体发光元件包括：电极层，其形成在基板上；半导体发光层，其形成在所述电极层上，该半导体发光层沿所述第一方向延长并且包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的一个长边形成并且平行于该长边；以及第二布线层，其从所述第一布线层向短边的方向延伸并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层。在相邻发光元件中，所述第一布线层被设置在所述半导体发光层的不同长边上。

【技术实现步骤摘要】
能够减小不均匀亮度分布的LED阵列专利
本专利技术涉及半导体发光元件阵列以及使用这些半导体发光元件阵列的车辆用灯具。
技术介绍
对于在车辆头灯、照明设备等中使用的发光二极管（LED）元件而言，需要高功率。如果简单地放大元件的尺寸，则驱动电流变得太大，且变得难以使电流在元件中均匀地流动。因此，为了获得高功率LED，多个LED元件串联设置以形成LED阵列（例如，参照日本特开专利公报No.2001-156331）。在车俩头灯等的应用中，需要长方形（oblong）LED阵列。然而，LED元件的数量增加并不是优选的，因为元件之间的非发光区域的比例增加。因而LED阵列中的各个LED元件的形状变成长方形。图10A是示出常规LED阵列600的示意性平面图，图10B是图10A所示的LED阵列600的简化横截面图。一般而言，常规LED阵列600具有设置且串联连接在绝缘支撑基板上的4个氮化物半导体发光元件。在GaN基白光LED元件的情况下，在蓝宝石基板上形成LED结构，粘附支撑基板，分离蓝宝石基板，并形成电极。各个LED元件601具有由n型GaN层621、有源层622和p型GaN层623组成的GaN基发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光阵列，其中，多个半导体发光元件被设置在第一方向较长的长方形基板上，并且所述多个半导体发光元件沿着所述第一方向排列，所述多个半导体发光元件中的每一个包括：电极层，其形成在所述基板上；半导体发光层，其形成在所述电极层上，该半导体发光层沿所述第一方向延长并且包括电连接到所述电极层的p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的有源层和形成在所述有源层上的n型半导体层；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的一个长边形成并且平行于该长边；以及第二布线层，其从所述第一布线层向短边的方向延伸并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层，其中，在相邻发光元件中，所述第一布线层被设置在所述半导体...

【技术特征摘要】
2011.08.23 JP 2011-181449;2011.09.02 JP 2011-19161.一种半导体发光阵列，其中，多个半导体发光元件被设置在第一方向较长的长方形基板上，并且所述多个半导体发光元件沿着所述第一方向排列，所述多个半导体发光元件中的每一个包括：电极层，其形成在所述基板上；半导体发光层，其形成在所述电极层上，该半导体发光层具有沿所述第一方向延长以具有长边和短边的长方形形状并且包括电连接到所述电极层的p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的有源层和形成在所述有源层上的n型半导体层；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的所述长边形成在所述半导体发光层外侧并且平行于所述长边；以及第二布线层，其从所述第一布线层沿着所述短边的方向延伸并且电连接到所述半导体发光层的表面处的所述n型半导体层，其中，在相邻发光元件中，所述第一布线层被设置在所述半导体发光层的不同长边上。2.根据权利要求1所述的半导体发光阵列，其中，一个半导体发光元件的所述第一布线层电连接到与所述一个半导体发光元件相邻的另一个半导体发光元件的所述电极层，并且所述多个半导体发光元件串联连接。3.根据权利要求1所述的半导体发光阵列，其中，由在所述半导体发光层的靠近所述相邻发光元件的边缘周围形成的所述第二布线层向所述半导体发光层注入的注入电流的量大于由在所述半导体发光层的中心周围形成的所述第二布线层向所述半导体发光层注入的注入电流的量。4.一种半导体发光阵列，其中，多个半导体发光元件被设置在基板上，所述多个半导体发光元件中的每一个包括：电极层，其形成在所述基板上；半导体发光层，其形成在所述电极层上，该半导体发光层具有沿第一方向延长以具有长边和短边的长方形形状并且包括电连接到所述电极层的p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的有源层和形成在所述有源层上的n型半导体层；第一布线层，其沿着所述半导体发光层的所述长边形成在所述半导体发光层外侧并且平行于所述长边；以及第二布线层，其从所述第一布线层沿着所述短边向所述半导体发光层延伸并且电连接到所述半导体发光层的表面处的所述n型半导体层，其中，在相邻发光元件中，所述第一布线层被设置在所述半导体发光层的不同长边上，其中，由形成在所述半导体发光层的靠近相邻发光元件的边缘周围的所述第二布线层向所述半导体发光层注入的注入电流的量大于由形成在所述半导体发光层的中心周围的所述第二布线层向所述半导体发光层注入的注入电流的量。5.根据权利要求4所述的半导体发光阵列，其中，形成在所述半导体发光层的靠近所述相邻发光元件的边缘周围的所述第二布线层之间的间隔比形成在所述半导体发光层的中心周围的所述第二布线层之间的间隔窄。6.根据权利要求4所述的半导体发光阵列，其中，形成在所述半导体发光层的靠近所述相邻发光元件的边缘周围的所述第二布线层的宽度比形成在所述半导体发光层的中心周围的所述第二布线层的宽度宽。7.根据权利要求4所述的半导体发光阵列，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫地护，斋藤龙舞，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：