【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种。
技术介绍
目前，主流倒装结构的白光LED的制作时经过多次光刻，由P层垂直刻蚀出LED的正负电极，此种结构的芯片由于正负电极相隔太近，对后续封装工艺的精度要求很高，且正负极相隔太近容易短路，工艺难度大，同时制作负电极时会蚀刻掉部分量子阱，由此会损失较大的发光面积。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种半导体芯片，所述半导体芯片的负电极从芯片结构的旁侧引出，与正电极分布于不同的平面，可以有效避免短路现象，同时所有电极都不会阻挡光路的输出，相反还会增加光路的输出，增大了发光面积；本专利技术还提供了该半导体芯片的制作方法、具有该半导体芯片的半导体发光器件及其制作方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的 一种半导体芯片，包括衬底，所述衬底上顺序层叠有缓冲层、η型氮化物层、发光层、P型氮化物层和芯片正电极，所述衬底的周边缘上设有将缓冲层、η型氮化物层、发光层、P型氮化物层和芯片正电极包围的芯片负电极，所述芯片负电极与发光层、P型氮化物层和芯片正电极之间设有绝缘层。本专利技术还提供一种半导体芯片的制作方法，所述方法包括以下步...
【技术保护点】
一种半导体芯片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上顺序层叠有缓冲层、n型氮化物层、发光层、p型氮化物层和芯片正电极，所述衬底的周边缘上设有将缓冲层、n型氮化物层、发光层、p型氮化物层和芯片正电极包围的芯片负电极，所述芯片负电极与发光层、p型氮化物层和芯片正电极之间设有绝缘层。
【技术特征摘要】
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