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本发明提供一种半导体芯片，包括衬底，所述衬底上顺序层叠有缓冲层、n型氮化物层、发光层、p型氮化物层和芯片正电极，所述衬底的周边缘上设有将缓冲层、n型氮化物层、发光层、p型氮化物层和芯片正电极包围的芯片负电极，所述芯片负电极与发光层、p型氮化...
该专利属于比亚迪股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪股份有限公司授权不得商用。

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