发光二极管结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管结构及其制造方法。发光二极管结构包含绝缘基板、发光结构、第一电性电极垫、第二电性电极垫、第二电性导电分支及第一绝缘层。发光结构包含依序堆叠的第一电性半导体层、发光层及第二电性半导体层。发光结构包含第一电极垫区、第二电极垫区及发光区。第一电性电极垫设于第一电极垫区上。第二电性电极垫设于第二电极垫区上。第二电性电极垫的底面位于第二电性半导体层的上表面的下方。第二电性导电分支设于发光结构上且与第二电性电极垫连接。第二电性导电分支与第二电性半导体层电连接。第一绝缘层隔离第二电性导电分支与第一电性半导体层和发光层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光结构，且特别是涉及一种发光二极管(LED)结构及其制造方法。
技术介绍
请参照图1，其是绘示一种传统发光二极管结构的剖视图。传统的发光二极管结构100包含基板102、η型半导体层104、发光层106、ρ型半导体层108、电流阻障层110、透明导电层112、η型电极垫114、ρ型电极垫116、及两个连接导线120与122。 在发光二极管结构100中，η型半导体层104、发光层106与ρ型半导体层108依序堆叠于基板102上。此外，透明导电层112堆叠于ρ型半导体层108。ρ型电极垫116设于部分的透明导电层112上。而电流阻障层110则位于ρ型电极垫116正下方的ρ型半导体层108上，以阻障从ρ型电极垫116直接流向正下方的ρ型半导体层108的电流。η型半导体层104、发光层106、ρ型半导体层108、电流阻障层110与透明导电层112的堆叠结构经平台定义，而移除部分的透明导电层112、ρ型半导体层108、发光层106与η型半导体层104后，形成一平台118。η型电极垫114则位于η型半导体层104经平台定义后所暴露出的区域上。连接导线120与122分别将η型电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管结构，包含：绝缘基板；发光结构，包含依序堆叠在该绝缘基板上的第一电性半导体层、发光层以及第二电性半导体层，其中该发光结构包含第一电极垫区、第二电极垫区以及发光区，且该第一电性半导体层与该第二电性半导体层具有不同的电性；第一电性电极垫，设于该第一电极垫区上；第二电性电极垫，设于该第二电极垫区上，其中该第二电性电极垫的一底面位于该第二电性半导体层的一上表面的下方；第二电性导电分支，设于该发光结构上且与该第二电性电极垫连接，其中该第二电性导电分支与该第二电性半导体层电连接；以及第一绝缘层，隔离该第二电性导电分支与该发光区的该第一电性半导体层和该发光层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：余国辉，朱长信，
申请(专利权)人：奇力光电科技股份有限公司，佛山市奇明光电有限公司，
类型：发明
国别省市：