光电半导体装置制造方法及图纸

依据本发明专利技术一实施例的一种光电半导体装置，包括一能量转换系统，用以进行光能与电能间的转换，此能量转换系统具有一第一侧；一接触层，形成于能量转换系统的第一侧，并包括一外边界及至少一欧姆接触区，其中欧姆接触区与能量转换系统间可形成欧姆接触；及二或多个不连续区，与接触层相整合而形成至少一图案于能量转换系统之上。

【技术实现步骤摘要】
光电半导体装置本申请是申请号为200810165854.X、专利技术名称为“光电半导体装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种光电半导体装置，尤其关于一种具有接触层与不连续区的光电半导体装置，以及与不连续区相关的图案布局。
技术介绍
已知发光二极管的一种结构包含生长基板、n型半导体层、p型半导体层、与位于此二半导体层间的发光层。用以反射源自于发光层光线的反射层会选择性地形成于此结构中。为提高发光二极管的光学、电学、及力学特性的至少其一，一种经适当选择后的材料会用以替代生长基板以作为承载除生长基板外的其他结构的载体，例如：金属或硅可用于取代生长氮化物的蓝宝石基板。生长基板可使用蚀刻、研磨、或激光移除等方式移除。然而，生长基板亦可能被全部或仅部分保留并与载体结合。此外，透光氧化物亦可整合于发光二极管结构中以提升电流分散表现。本案申请人的第I237903号中国台湾专利中披露一种高发光效率的发光元件100。如图1所示，发光元件100的结构包含蓝宝石基板110、氮化物缓冲层120、n型氮化物半导体叠层130、氮化物多重量子阱发光层140、p型氮化物半导体叠层150、及氧化物透明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电半导体装置，包含：一半导体系统，用以进行光能与电能间的转换；一接触层；一电性接点，位于该接触层上；及二或更多不连续区，位于该半导体系统及该接触层之间，并分布在该电性接点周围，使来自于该电性接点的电流侧向流动至接触层的外缘。

【技术特征摘要】
1.一种光电半导体装置，包含：一半导体系统，发射或吸收光线，用以进行光能与电能间的转换；一接触层；一电性接点包含一根部以及一支部，该电性接点位于该接触层上；一电流阻障区位于该支部的下方；及二或更多不连续区，位于该半导体系统及该接触层之间，与该接触层重叠，并分布在该电性接点周围，使来自于该电性接点的电流侧向流动至接触层的外缘，其中，该半导体系统包含复数个凹陷部与该接触层直接接触，且所述不连续区用于提高离开或进入所述半导体系统的能量流或光强度，使得所述光线不被局限于所述凹陷部未被填满的空隙中。2.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该二或更多不连续区的材料包含绝缘材或相对于该接触层为非良导体。3.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该接触层的材料包含透明氧化物。4.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该电性...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈建赋，钟健凯，洪详竣，叶慧君，柯淙凯，林安茹，欧震，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：