本发明专利技术公开了一种光电半导体装置。依据本发明专利技术一实施例的一种光电半导体装置包括转换部，包括第一侧；电性接点；接触层，位于该转换部与该电性接点之间并具有外边界，其中该接触层中形成有至少连续三个不连续区，该至少连续三个不连续区沿外边界形成，且具有至少一个不相同的要素；其中，电性接点、接触层、及不连续区形成于转换部的第一侧。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种光电半导体装置，尤其关于一种具有接触层与不连续区的光电半导体装置，以及与不连续区相关的图案布局。
技术介绍
已知发光二极管的一种结构包含成长基板、η型半导体层、P型半导体层、与位于此二半导体层间的发光层。用以反射源自于发光层光线的反射层可选择性地形成于此结构中。为提高发光二极管的光学、电学、及力学特性的至少其一，一种经适当选择的材料会用以替代成长基板以作为承载除成长基板外的其他结构的载体，例如:金属或硅可用于取代成长氮化物的蓝宝石基板。成长基板可使用蚀刻、研磨、或激光移除等方式移除。然而，成长基板亦可能被全部或仅部分保留并与载体结合。此外，透光氧化物亦可整合于发光二极管结构中以提升电流分散表现。本案申请人的第1237903号台湾专利中披露一种高发光效率的发光元件100。如图1所示，发光元件100的结构包含蓝宝石基板110、氮化物缓冲层120、η型氮化物半导体叠层130、氮化物多重量子阱发光层140、P型氮化物半导体叠层150、及氧化物透明导电层160。另外，并在P型氮化物半导体叠层150面向氧化物透明导电层160的表面上形成六角锥孔穴构造1501。六角锥孔穴构造1501的内表面较易与如氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝、与氧化锌锡等的氧化物透明导电层160形成欧姆接触。因此，发光元件100的正向电压得以维持于一个较低的水准，且通过六角锥孔穴构造1501也可提升光摘出效率。ITO 可通过电子束蒸镀法(Electron Beam Evaporation)或派镀法(Sputtering)形成于六角锥孔穴构造1501、半导体层或其二者之上。不同制造方式所形成的ITO层所表现出的光学、电学特性、或其二者也可能不尽相同，相关文献可参阅本案申请人的第096111705号台湾专利申请案，并援引其为本申请案的一部分。于扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope ；SEM)之下，以电子束蒸镀法形成的ITO颗粒1601并未完全填满六孔锥孔穴1501，而呈现出诸多存在于ITO颗粒间的空隙，如图2所示。此些空隙可能使光线被局限其中无法脱离发光元件，而逐渐被周围的ITO所吸收。或者因此些空隙中所存在具有小于ITO折射系数的介质，如空气，使得进入ITO的光线会在材料边界处遭遇全反射而无法离开ITO层，而逐渐为ITO所吸收。由 C.H.Kuo 等于公兀 2004 年在 Materials Science and Engineering B 所提出，，Nitride-based near-ultraviolet LEDs with an ITO transparent contact，，一文中曾针对ITO的穿透率(transmittance)与波长间的关系进行研究。其发现当波长约低于420nm时，ITO穿透率有急遽下降的趋势，在350nm时甚至可能低于70%。对于蓝光波段，ITO具有高于80%的穿透率，但是，在近紫外光或紫外光波段的穿透率却不尽理想。因此，ITO等透明氧化物作为半导体发光元件常用的材料，对于元件的光学与电学表现上仍有许多的改善空间。
技术实现思路
依据本专利技术一实施例的一种光电半导体装置包括转换部，包括第一侧；电性接点；接触层，具有外边界；及至少连续三个不连续区，沿外边界形成，且具有至少一个不相同的要素；其中，电性接点、接触层、及不连续区形成于转换部的第一侧。依据本专利技术的其他数实施例的光电半导体装置披露如下:光电半导体装置中的要素包括角度、长度、宽度、深度、与间距其中之一。光电半导体装置中的电性接点包括根部、支部、及端部。光电半导体装置中的电性接点包括一区域用以与外部电路连接。光电半导体装置中的电性接点与不连续区在一投影方向上具有至少一交点。光电半导体装置还包括电流阻障区，位于不连续区至少其一下方。光电半导体装置中各不连续区在外边界上仅具有一个开口。光电半导体装置中不连续区包括至少一电流阻障区。依据本专利技术另一实施例的一种光电半导体装置包括转换部；第一电性接点，靠近转换部；第二电性接点，与第一电性接点构成电流通道的两端；接触层，具有外边界；及多个不连续区，源自外边界，并大体上符合电性接点的外型。依据本专利技术的其他数实施例的光电半导体装置披露如下:光电半导体装置中各个不连续区与相邻最近的电性接点间的间距大体上相同。光电半导体装置中第一电性接点与第二电性接点可分别位于转换部的相对侧。光电半导体装置中的第一电性接点与第二电性接点可位于转换部的同侧。光电半导体装置还包括欧姆接触区，位于接触层、不连续区、或其二者下方。光电半导体装置中不连续区中至少其一偏离一总体变化趋势。光电半导体装置中的第一电性接点与第二电性接点至少其一为左右对称。光电半导体装置中的不连续区中至少其二在外边界上具有一共同开口。依据本专利技术又一实施例的一种光电半导体装置包括转换部，包括第一侧；电性接点，位于转换部的第一侧；接触层，具有外边界；及多个不连续区，由外边界朝向电性接点，并在一个维度上呈现不规则变化。依据本专利技术的其他数实施例的光电半导体装置披露如下:光电半导体装置中的接触层与不连续区位于电性接点与转换部之间。光电半导体装置中的不连区包括几何、材料、物理特性、及化学特性中至少其一的不连续。光电半导体装置还包括欧姆接触区，位于接触层、不连续区、或其二者下方，并包括凸起空间、凹陷空间、或其二者，此空间的几何形状包括角锥、圆锥、与平头截体中至少其一。依据本专利技术一实施例的一种光电半导体装置包括基板，其面积大于或等于45milX45mil ;第一电性接点，包含:第一根部，与二或多个端部电性相连；及第二根部，与第一根部分离，且与二或多个端部电性相连；第二电性接点，包含至少二个根部及数个端部；及转换部，介于基板与第二电性接点之间；其中第一电性接点的任二个相邻端部间至少存在第二电性接点的数个端部之其一。此外，本专利技术的实施例亦披露如下:第一电性接点的第一根部及第二根部彼此相连。光电半导体装置中的第一电性接点的第一根部及第二根部中至少其一通过至少一支部与多个端部中至少其一电性相连。光电半导体装置中的第二电性接点还包括支部，具有第一端、第二端、与主干，第一端连接至二根部中至少其一，主干与数个端部中至少其一相连。光电半导体装置还包括电流阻障区，位于第二电性接点之下。光电半导体装置还包括平台，第一电性接点形成于平台之上。光电半导体装置还包括接触层，介于第二电性接点与转换部之间，并包含不连续区。依据本专利技术又一实施例的一种电流通道，提供电流通过转换部，包括第一电性接点；及第二电性接点，包含至少二个根部及数个端部；其中第一电性接点包括第一根部，与二或多个端部电性相连；及第二根部，与第一根部分离，且与二或多个端部电性相连；且第一电性接点的任二个相邻端部间至少存在第二电性接点的数个端部之其一。本专利技术的实施例亦披露如下:电流通道中的转换部包含第一面与第二面，第一面电性连接至第一电性接点，第二面电性连接至第二电性接点。电流通道中的第二电性接点的二个根部彼此相连。附图说明图1显示本案申请人的第1237903号台湾专利中所披露的一种高发光效率的发光元件；图2显不扫描式电子显微镜(Scanning Electron Micros本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光电半导体装置，包含：转换部；电性接点；接触层，位于该转换部与该电性接点之间，其中该接触层中形成有多个不连续区，该多个不连续区分布于该电性接点的周围，且该多个不连续区在俯视图上具有图案分布。
【技术特征摘要】
2009.09.18 US 12/562,9171.一种光电半导体装置，包含: 转换部； 电性接点； 接触层，位于该转换部与该电性接点之间，其中该接触层中形成有多个不连续区，该多个不连续区分布于该电性接点的周围，且该多个不连续区在俯视图上具有图案分布。2.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该接触层于该电性接点下方的尺寸约等于或略大于该电性接点的尺寸。3.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含绝缘区形成于该电性接点下方。4.如权利要求3所述的光电半导体装置，其中该绝缘区形成于该电性接点与该转换部之间。5.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该图案分布可为常规阵列或交错阵列。6.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中该不连续区的图案可为圆形、正方形、矩形、菱形、平行四边形...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈建赋，钟健凯，洪详竣，叶慧君，柯淙凯，林安茹，欧震，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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