含氧化锌基透明导电薄膜的半导体发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种包括氧化锌基透明导电薄膜的半导体发光装置及其制造方法。
技术介绍
透明导电薄膜用在利用光电效应的太阳能电池、发光二极管(LED)、诸如薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-1XD)、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器(FED)、有机发光二极管(OLED)等的平板显示器等中，在这种情况下，要求透明导电薄膜在电磁波谱的可见光区域以及电磁波谱的近红外区域中具有优异的透光率和导电率。当前，锡掺杂的In2O3(In2O3 = Sn)、氧化铟锡(ITO)是形成高质量透明导电薄膜最为常用的材料之一。然而，作为其主要组成元素的铟(In)，它的全球储备与锡(Sn)和锌(Zn)的全球储备相比而言极其有限，铟(In)的价格与银(Ag) —样高。因此，已经对通过用诸如铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)或硼⑶等的第III族阳离子金属元素掺杂氧化锌(ZnO)获得的材料作为ITO的替代材料进行了深入的研究，在这些材料之中，通过在ZnO中掺杂Al获得的材料(ZnO = Al)和通过在ZnO中掺杂Ga获得的材料(ZnOiGa)变得突出。作为ZnO的主要组成元素的锌(Zn)，它的储备是铟(In)的储备的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，所述半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。

【技术特征摘要】
2011.10.25 KR 10-2011-01092671.一种半导体发光装置，所述半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。2.一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括: 形成在基底上顺序地堆叠有第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层的发光结构； 对基底执行热处理； 将锌前驱体和氧化剂注入到反应室中，以生长氧化锌基薄膜； 在氧化锌基薄膜生长的同时，将第III族元素前驱体周期性地注入到反应室中以将第III族元素掺杂在氧化锌基薄膜中；以及 对所得的材料执行热处理。3.如权利要求2所述的方法，其中，在200°C至600°C的范围内的温度下执行在生长氧化锌基薄膜之前的热处理达10分钟至60分钟。4.如权利要求2所述的方法，其中，锌前驱体包括二乙基锌或二甲基锌中的任何一种。5.如权利要求2所述的方法，其中，用作第III族元素的前驱体包括三乙基镓和三甲基镓中的至少一种。6.如权利要求2所述的方法，其中，在2托至30托的范围内的大气压力下，在400°C至530 0C的范围内的温度下执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗炫，李正贤，金起成，尹皙胡，金荣善，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：