一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法。本发明专利技术的非晶氧化锌基薄膜晶体管包括：衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极；其中，沟道层的材料采用掺铝锡的氧化锌半导体材料，氧化铝含量为3%～9%（质量），氧化锡含量为3%～50%（质量）。本发明专利技术制备的ATZO半导体薄膜晶粒尺寸在10nm左右，且分布均匀，属于纳米晶体氧化物半导体。这种工艺方法具有步骤简单，制造成本低廉，均匀性好，用于低温工艺，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件包括迁移率、开关比、阈值电压、亚阈摆幅率等方面的性能，适用于透明显示和柔性显示技术等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种非晶氧化锌基薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：衬底（1）、栅电极（2）、栅介质层（3）、沟道层（4）、源电极和漏电极（5）；其中，在衬底（1）上形成栅电极（2），在栅电极（2）上形成栅介质层（3），在栅介质层（3）上形成沟道层（4），以及在沟道层（4）的两端分别形成源电极和漏电极（5）；所述沟道层（4）的材料采用掺铝锡的氧化锌半导体材料，其中氧化铝含量为3%～9%（质量），氧化锡含量为3%～50%（质量）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩德栋，丛瑛瑛，黄福青，单东方，张索明，田宇，王漪，张盛东，刘晓彦，康晋锋，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11