一种透明导电层和发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种透明导电层和发光二极管，属于半导体发光器件技术领域。该透明导电层包括：覆盖在P-GaN层上的碳纳米管层和覆盖在碳纳米管层上的石墨烯层。该发光二极管包括外延片、透明导电层和电极；外延片包括衬底、以及依次覆盖在衬底上的N-GaN层、多量子阱、P-GaN层；电极包括N电极和P电极；透明导电层包括覆盖在P-GaN层上的碳纳米管层和覆盖在碳纳米管层上的石墨烯层，P电极设于石墨烯层上。本实用新型专利技术通过采用碳纳米管层以及石墨烯层的复合层作为透明导电层，使得透明导电层不仅能在各个方向上都具有很高的电导率，而且同时具有很好的柔性和导热性能，从而使得包含这种透明导电层的LED性能得到显著改善。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体发光器件
，特别涉及一种透明导电层和发光二极管。
技术介绍
透明导电层既具有高电导率，又具有可见光特定波段的高透过率，是LED (LightEmitting Diode，发光二极管)等元件的重要组成部分。目前，广泛采用的用作透明导电层的材料是IT0(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)，但是铟成本高、资源有限，已经无法满足LED行业的快速发展要求。因此研究人员试图寻找其他材料来代替ITO作为透明导电层材料。目前已有的透明导电层材料包括石墨烯和CNT(Carbon Nanotube,碳纳米管)。其·中，石墨烯是由碳原子构成的单层片状结构材料，其在碳原子层的二维方向具有高电导率。碳纳米管则是由单层或多层碳原子层卷曲形成的同轴状结构，其具有轴向的高电导率和热导率，且其长径比(指对于柱形物体，其长度与直径的比值)高，具有很好的柔性。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题如果在P-GaN(P-GalIium Nitride, P型氮化镓)层上生长石墨烯作为透明导电层，由于石墨烯受力或受热时容易发生弯曲，所以在LED制作及后续使用过程中，L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电层，其特征在于，所述透明导电层包括：用于覆盖在P？GaN层上的碳纳米管层和覆盖在所述碳纳米管层上的石墨烯层。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电层，其特征在于，所述透明导电层包括用于覆盖在P-GaN层上的碳纳米管层和覆盖在所述碳纳米管层上的石墨烯层。2.根据权利要求I所述的透明导电层，其特征在于，所述碳纳米管层为垂直于所述P-GaN层的碳纳米管阵列。3.根据权利要求I所述的透明导电层，其特征在于，所述石墨烯层为平行于所述P-GaN层的石墨烯单层。4.一种发光二极管，包括外延片、透明导电层和电极；所述外延片包括衬底、以及依次覆盖在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：皮智华，张建宝，刘榕，周武，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：