一种用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液及其制备方法技术

一种用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液，其由下列按照重量百分比计算的组分组成：有机碱20%‑40%；有机溶剂 5%‑20%；抑制剂3%‑8%；缓蚀剂0.5%‑3%；消泡剂0.05‑0.5%；余量为蒸馏水；所述有机碱为下列物质中的一种或两种的混合物：乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、乙二胺；所述有机溶剂为下列物质中的一种或两种的混合物：丙二醇、丙三醇；所述抑制剂为下列物质中的一种或两种的混合物：聚乙二醇400、聚乙二醇600；所述缓蚀剂为水溶性缓蚀剂。本发明专利技术干膜去膜液有脱干膜速度快、无泡、易漂洗、对镀铜铟锡氧化物导电膜无影响、不含磷、硫等元素、无异味、无毒无腐蚀性、安全可靠、不易燃、符合REACH、RoHS、卤素、无磷等环保法规要求等特点。

Dry film removing liquid used for copper plating alloy indium tin oxide conductive film and preparation method thereof

A solution for dry film of copper alloy conductive indium tin oxide film, which is calculated by the following components according to weight percentage: 20% organic base 40%; organic solvent 5% 20%; 3% 8% inhibitor; corrosion inhibitor 0.5% 3%; defoaming agent 0.05 0.5%; balance of distilled water; the organic alkali or a mixture of two kinds of the following materials: ethanolamine, diethanolamine and triethanolamine two, four methyl ammonium hydroxide and ethylenediamine; the organic solvent is a mixture of one or two of the following materials: propylene glycol, glycerol; the inhibitors are a mixture of or two of the following materials: polyethylene glycol 400, polyethylene glycol 600; the inhibitor is a water soluble corrosion inhibitor. The invention of dry film to film liquid off the dry film speed, no foam, easy to rinse, no effect on copper, indium tin oxide conductive film without phosphorus, sulfur and other elements, no odor, non-toxic and non corrosive, non flammable, safe and reliable, with REACH, RoHS, halogen, phosphorus and other environmental protection regulations to for the characteristics of.

【技术实现步骤摘要】
一种用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液及其制备方法
本专利技术涉及干膜去膜液及其制备方法，特别是涉及一种用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液及其制备方法，其中铟锡氧化物是Indium-TinOxide简称为ITO。
技术介绍
干膜是一种高分子化合物，它通过紫外线的照射后能够产生一种聚合反应，并形成一种稳定的物质附着于板面，从而达到阻挡电镀和蚀刻的功能。干膜由聚乙烯膜（PE）、聚酯膜（PET）和光致抗蚀层组成。聚乙烯膜（PE）为干膜表面覆盖层，覆盖在感光胶层上，起保护作用。光致抗蚀层干燥后，为避免空气中灰尘污染及氧的作用，需加以保护。同时也可以防止在分切收卷过程中互相粘结。它一般使用均匀性好的厚度20μm~25μm左右的聚乙烯膜。聚酯膜（PET）为光致抗蚀层的支撑体（又称为载体膜、底膜），使之涂布成膜，在曝光之后显影之前将其撕去，其作用是防止曝光时氧气向光致抗蚀层扩散，氧气扩散会导致破坏抗蚀胶的游离基，从而引起曝光度的下降。光致抗蚀层是光致抗蚀干膜的关键成分，是干膜的主体，用以转移图像。它多为负性感光材料。干膜褪膜原理：使用强碱将固化的大分子酯类物质皂化溶解，反应原理为式R-COOR2+OH-→R-COO-+R2OH为了使智能手机等电子产品显示屏的窄边框化，配套显示屏的电容式触摸屏的Sensor采用镀铜合金铟锡氧化物导电膜黄光制程等工艺来实现。铟锡氧化物导电膜是指采用磁控溅射的方法，在基材上溅射铟锡氧化物(ITO)导电膜镀层并经高温退火处理得到的产品，镀铜合金铟锡氧化物导电膜是在铟锡氧化物导电膜上面镀铜合金。在镀铜合金铟锡氧化物导电膜制作成Sensor的过程中，需要经过贴合干膜、显影、蚀刻、脱干膜等过程。由于脱干膜的过程中不再是普通的ITO，需要考虑到去膜液对ITO（铟锡氧化物，Indium-TinOxide)及铜合金的影响。中国专利200710030907.2号揭露了印刷线路板的去膜液添加剂及其生产方法，其中含有REACH法规禁止使用的乙二醇乙醚，不符合环保法规；中国专利号201210126851.1一种二次干膜去膜液及201610225983.8印刷线路板去膜液及其配制方法和使用方法中都采用了氨水这种无机碱，无机碱不易漂洗、无机碱与有机物的互溶性差，扩散慢且不均匀，同时无机碱对镀铜合金铟锡氧化物导电膜上的ITO有很大的安全隐患，容易破坏ITO与PET的结合程度导致ITO脱落；有机碱不易电解，扩散快、分布均匀，无上述缺点。有鉴于此，提供一种可快速脱膜的镀铜合金铟锡氧化物导电膜用干膜的去膜液，能够快速彻底去除镀铜合金铟锡氧化物上的干膜，替代传统无机碱及不环保的乙二醇乙醚类去膜液，实乃当务之急。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于：克服传统无机碱性脱膜液去膜效果差、对导电膜基材有腐蚀、环保性差、泡沫多等缺点，提供一种用于镀铜合金铟锡氧化物的干膜去除液，其具有优良的去干膜效果，较宽广的环境适应性、较好的稳定性、无泡、易漂洗、具有良好的润湿性、对镀铜合金铟锡氧化物及基材无损伤、不含磷、硫元素，无异味、无毒无腐蚀性、安全可靠、不燃不爆、符合REACH、RoHS、卤素、无磷等环保法规要求、成本低廉、运输储存方便、脱膜成本低。为了解决上述技术问题，本专利技术提出以下技术方案：一种用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液，其由下列按照重量百分比计算的组分组成：有机碱20%-40%；有机溶剂5%-20%；抑制剂3%-8%；缓蚀剂0.5%-3%；消泡剂0.05-0.5%；余量为蒸馏水；所述有机碱为下列物质中的一种或两种的混合物：乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、乙二胺；所述有机溶剂为下列物质中的一种或两种的混合物：丙二醇、丙三醇；所述抑制剂为下列物质中的一种或两种的混合物：聚乙二醇400、聚乙二醇600；所述缓蚀剂为水溶性缓蚀剂。上述技术方案的进一步限定在于，所述缓蚀剂是苯并三氮唑。上述技术方案的进一步限定在于，所述消泡剂为聚醚L61。为了解决上述技术问题，本专利技术提出以下技术方案：一种用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液的制备方法，按照重量比例称取有机碱、有机溶剂、抑制剂、缓蚀剂、消泡剂以及蒸馏水，在室温下依次把有机碱、有机溶剂、抑制剂、缓蚀剂和消泡剂加入到蒸馏水中，搅拌均匀，成为所述的用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液。碱采用有机碱，有机碱起主要作用，进入干膜中促进干膜迅速溶解破裂，同时也可以有效避免无机碱对ITO及铜合金的影响，从而最大程度避免去膜液对材料的腐蚀。有机溶剂的主要作用是溶解干膜中的增粘剂，减低干膜与铜合金基材的结合力。使其膨胀，使去膜液中的其它成分进入干膜中，在干膜表面进行断键反应而除去干膜，加快褪膜速率。抑制剂有效减低干膜脱除后继续分离成小块状，避免脱落的干膜屑太小而堵塞去膜液槽过滤芯及喷头，减少过滤芯更换的频率。水溶性的缓蚀剂可以与体系很好的相容，便于后续蒸馏水的漂洗。采用苯并三氮唑（BTA）作为缓蚀剂，BTA在铜合金表面形成络合物阻止或减缓腐蚀过程。消泡剂降低在生产过程中泡沫的产生，避免生产时清洗液位降低同时便于观察脱膜过程中干膜的状态。蒸馏水作为溶解介质，与有机碱、醇类、缓蚀剂等有很好的相容性，确保去膜液的混合均一性。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：1、特别适用于精细电极线路制作时干膜的去除，能有效去除电极线路夹缝的干膜，保证后续蚀刻的品质；2、褪膜速率快，比无机去膜液速度大大提升褪除速率；3、不损伤铜合金，不攻击ITO；4、褪下的膜碎呈小片状，避免堵塞过滤芯及喷嘴，提高生产效率；5、无泡，易漂洗；6、槽中去膜液使用寿命长，保养周期7-8天，降低使用成本；7、废液量少，减少废液排放对环境的污染；8、安全环保，符合REACH、RoHS、卤素、无磷等环保法规要求。具体实施方式本专利技术一种用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液，其由下列按照重量百分比计算的组分组成：有机碱20%-40%；有机溶剂5%-20%；抑制剂3%-8%；缓蚀剂0.5%-3%；消泡剂0.05-0.5%；余量为蒸馏水。本专利技术干膜的去膜液适用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜的去除。所述有机碱为下列物质中的一种或两种的混合物：乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、乙二胺。所述有机溶剂为下列物质中的一种或两种的混合物：丙二醇、丙三醇。所述抑制剂为下列物质中的一种或两种的混合物：聚乙二醇400（PEG400）、聚乙二醇600|（PEG600）。所述缓蚀剂为水溶性缓蚀剂，可以是苯并三氮唑（BTA）。所述消泡剂为聚醚L61。上述用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液的制备方法：按照重量比例称取有机碱、有机溶剂、抑制剂、缓蚀剂、消泡剂以及蒸馏水，在室温下依次把有机碱、有机溶剂、抑制剂、缓蚀剂和消泡剂加入到蒸馏水中，搅拌均匀，成为所述的用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液。成品为浓缩液，稀释比例为10%。下面结合具体实施方式对本专利技术进行进一步的详细描述，给出的实施例仅为了阐述本专利技术，而不是为了限制本专利技术的范围。实施例1按重量百分比，将乙醇胺20%、三乙醇胺20%、丙三醇5%、PEG4003%；BTA0.5%；聚醚L610.05%混合后，加入蒸馏水补至100%，搅拌至均匀透明，即制得本专利技术镀铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液，其由下列按照重量百分比计算的组分组成：有机碱     20%‑40%；有机溶剂   5%‑20%；抑制剂     3%‑8%；缓蚀剂     0.5%‑3%；消泡剂     0.05‑0.5%；余量为蒸馏水；所述有机碱为下列物质中的一种或两种的混合物：乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、乙二胺；所述有机溶剂为下列物质中的一种或两种的混合物：丙二醇、丙三醇；所述抑制剂为下列物质中的一种或两种的混合物：聚乙二醇400、聚乙二醇600；所述缓蚀剂为水溶性缓蚀剂。

【技术特征摘要】
1.一种用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液，其由下列按照重量百分比计算的组分组成：有机碱20%-40%；有机溶剂5%-20%；抑制剂3%-8%；缓蚀剂0.5%-3%；消泡剂0.05-0.5%；余量为蒸馏水；所述有机碱为下列物质中的一种或两种的混合物：乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、乙二胺；所述有机溶剂为下列物质中的一种或两种的混合物：丙二醇、丙三醇；所述抑制剂为下列物质中的一种或两种的混合物：聚乙二醇400、聚乙二醇600；所述缓蚀剂为水溶性缓蚀剂。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈才旺，钟平洪，
申请(专利权)人：深圳飞世尔新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44