一种高压发光二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压发光二极管芯片，属于半导体照明技术领域。该芯片包括：衬底层、依次层叠在衬底层上的第一半导体层、发光层、第二半导体层和透明导电层，芯片上设有凹槽，凹槽从透明导电层延伸至第一半导体层，凹槽内设有用于将芯片分割成多个子芯片的隔离槽，隔离槽从第一半导体层延伸至衬底层，芯片上还设有第一电极、第二电极和电气连接结构，第一电极设于透明导电层上，第二电极设于凹槽的第一半导体层上，电气连接结构将一个子芯片的透明导电层与另一个子芯片的第一半导体层连接，凹槽的侧壁与第一半导体层的顶面之间的锐角为15～45度，隔离槽的侧壁与衬底层的顶面之间的锐角为40～60度。本实用新型专利技术通过上述方案增强了芯片可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体照明
，特别涉及一种高压发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管芯片是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，是目前最优前景的新一代光源，广泛应用于人们的日常生活中。现有的发光二极管芯片为了提高发光亮度，一般会增大芯片的面积，提高注入电流。但如果其P、N电极设计稍有不平衡，这样的发光二极管芯片就会产生电流的丛聚效应，从而降低其发光效率和可靠性。现有技术中，通过在发光二极管芯片上刻蚀用于将芯片分割成多个相互隔离的子芯片的隔离槽，该隔离槽刻蚀至芯片的衬底层；隔离槽中填充有绝缘物质，以形成绝缘层；绝缘层上面平滑铺设有将各个子芯片连接起来的电气连接结构，从而使电流均匀扩展，避免了电流的丛聚效应。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题现有技术中，隔离槽的侧壁即为子芯片的侧壁，该侧壁与衬底层的表面近似垂直，降低了子芯片侧壁的利用率，同时也不利于绝缘层和电气连接结构的平滑铺设，容易造成子芯片间的短路或断路，降低了芯片的可靠性。
技术实现思路
为了提高芯片的利用率，增强芯片的可靠性，本技术实施例提供了一种高压发光二极管芯片。所述技术方案如下本技术实施例提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压发光二极管芯片，所述芯片包括衬底层、依次层叠在所述衬底层上的第一半导体层、发光层、第二半导体层和透明导电层，所述芯片上设有凹槽，所述凹槽从所述透明导电层延伸至所述第一半导体层，所述凹槽内设有用于将所述芯片分割成多个子芯片的隔离槽，所述隔离槽从所述第一半导体层延伸至所述衬底层，所述芯片上还设有第一电极、第二电极和电气连接结构，所述第一电极设于所述透明导电层上，所述第二电极设于所述凹槽的所述第一半导体层上，所述电气连接结构将一个所述子芯片的透明导电层与另一个所述子芯片的第一半导体层连接，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述第一半导体层的顶面之间的锐角为15～45度，所述隔离槽的侧壁与所述衬底层...

【技术特征摘要】
1.一种高压发光二极管芯片，所述芯片包括衬底层、依次层叠在所述衬底层上的第一 半导体层、发光层、第二半导体层和透明导电层，所述芯片上设有凹槽，所述凹槽从所述透 明导电层延伸至所述第一半导体层，所述凹槽内设有用于将所述芯片分割成多个子芯片的 隔离槽，所述隔离槽从所述第一半导体层延伸至所述衬底层，所述芯片上还设有第一电极、 第二电极和电气连接结构，所述第一电极设于所述透明导电层上，所述第二电极设于所述 凹槽的所述第一半导体层上，所述电气连接结构将一个所述子芯片的透明导电层与另一个 所述子芯片的第一半导体层连接，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述第一半导体层的顶面之间的锐角为15 45度，所述隔离槽的 侧壁与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：程素芬，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：