【技术实现步骤摘要】
一种高压LED芯片
本技术涉及一种高压LED芯片,属于照明设备
。
技术介绍
发光二极管作为一种半导体固态光源历经几十年的发展,在指示灯领域已经得到广泛的应用,同时,背光和照明领域也在近几年得到了很大的发展。目前,封装端都是以多颗发光二极管晶片通过金属导线实现串联或并联。这种连接方式费工时、成本高且可靠性不佳。 高压发光二极管芯片很好的解决了以上的不足。高压发光二极管指在芯片端通过金属薄膜将发光二极管芯片串联从而实现高电压。目前的制作方法是通过宽度15um+/-5um左右的隔离槽将单芯片进行电气隔离,再通过金属薄膜进行串联而实现。由于电子束蒸镀机要形成连续的金属薄膜对隔离槽的深宽比有要求,当隔离槽的深度为6um,宽度为1um时,电子束蒸发将不能稳定的形成连续金属薄膜,所以为了得到较高良率、且稳定的产品,普遍做法都是将隔离槽的宽度设计为1um以上,但较宽的隔离槽也意味着浪费了宝贵的发光面积。
技术实现思路
鉴于上述现有技术存在的缺陷,本技术的目的是提出一种高压LED芯片。 本技术的目的,将通过以下技术方案得以实现: 一种高压LED芯片,包括衬底,及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层,所述第二半导体层上沉积有透明导电层,所述芯片上刻蚀有隔离槽,所述隔离槽将芯片隔离形成三个芯片岛,所述隔离槽刻蚀至衬底,相邻所述芯片岛之间通过介质绝缘层绝缘,相邻所述芯片岛通过电桥连接。 优选地,所述隔离槽为设置有宽区隔离槽与窄区隔离槽,所述窄区隔离槽与宽区隔离槽的宽度比小于1:2,且所述窄区隔离槽宽度小于 ...
【技术保护点】
一种高压LED芯片,包括衬底,及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层,其特征在于:所述第二半导体层上沉积有透明导电层,所述芯片上刻蚀有隔离槽,所述隔离槽将芯片隔离形成三个芯片岛,所述隔离槽刻蚀至衬底,相邻所述芯片岛之间通过介质绝缘层绝缘,相邻所述芯片岛通过电桥连接。
【技术特征摘要】
1.一种高压LED芯片,包括衬底,及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层,其特征在于:所述第二半导体层上沉积有透明导电层,所述芯片上刻蚀有隔离槽,所述隔离槽将芯片隔离形成三个芯片岛,所述隔离槽刻蚀至衬底,相邻所述芯片岛之间通过介质绝缘层绝缘,相邻所述芯片岛通过电桥连接。2.根据权利要求1所述的一种高压LED芯片,其特征在于:所述隔离槽为设置有宽区隔离槽与窄区隔离槽,所述窄区隔离槽与宽区隔离槽的宽度比小于1:2,且所述窄区隔离槽宽度小于或等于5um,所述宽区隔离槽宽度大于5um,所述宽区隔离槽设置在芯片的电桥端,所述宽区隔离槽的长度与电桥宽度之比大于3:...
【专利技术属性】
技术研发人员:翁启伟,傅华,张存磊,王勇,吴思,王怀兵,
申请(专利权)人:苏州新纳晶光电有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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