The invention provides an anti-static LED chip, which comprises a substrate on which the first P-type layer, the quantum well layer, the N-type layer, the quantum well layer and the second P-type layer are arranged sequentially from bottom to top. The capacitive region is epitaxially grown on the first P-type layer and the second P-type layer. By adding a capacitance area, when the voltage exceeds the maximum range of the device, the capacitance area will automatically collect electrostatic charges, so as to avoid the impact of the LED chip or epitaxy and damage the LED device.
【技术实现步骤摘要】
抗静电LED芯片制备方法及其应用
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种抗静电LED芯片及其制备方法。
技术介绍
随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用将越来越广泛。随着全球性能源短缺问题的日益严重，人们越来越关注LED在照明市场的发展前景，LED将是取代白炽灯、钨丝灯和荧光灯的潜力光源。LED照明市场发展空间广阔。LED照明灯具应用已经从过去室外景观照明LED发展向室内照明应用。行业内，静电是造成LED器件失效的主要原因之一，其主要原因是由于静电释放会导致LED器件的漏电死灯现象，因此，为提高LED的可靠性能和寿命，使LED芯片具有抗静电将发挥异常重要的作用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述的技术问题，提供了一种抗静电LED芯片制备及其应用。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：抗静电LED芯片制备方法，包括如下步骤：S1、在氢气气氛下，高温处理衬底，并在衬底上生长非掺杂GaN层；S2，在非掺杂GaN层表面依次生长第一P型层、量子阱层、N型层及量子阱层、第二P型层；所述第一P型层和所述第二P型层上均设置有一用于收集电荷的电容区。有选地，所述电容区为电极。有选地，所述电极包括设置于第二P型层上的第二电极，及设置于所述第一P型层上的第一电极。有选地，所述第一电极制备时，先通过在第二P型层上进行蚀刻露出第一P型层，在所述第一P型成上制备电极形成第一电极。一种如权利要求1所述的抗静电LED芯片制备方法制得的抗静电LED芯片。有选地，所述芯片包括一衬底，所述衬底上由下至上依次设置有第一P型层、量子阱层、N型层、量子阱层、第二P...
【技术保护点】
1.抗静电LED芯片制备方法，包括如下步骤：S1、在氢气气氛下，高温处理衬底，并在衬底上生长非掺杂GaN 层；S2，在非掺杂GaN 层表面依次生长第一P型层、量子阱层、N型层及量子阱层、第二P型层；其特征在于：所述第一P型层和所述第二P型层上均设置有一用于收集电荷的电容区。
【技术特征摘要】
1.抗静电LED芯片制备方法，包括如下步骤：S1、在氢气气氛下，高温处理衬底，并在衬底上生长非掺杂GaN层；S2，在非掺杂GaN层表面依次生长第一P型层、量子阱层、N型层及量子阱层、第二P型层；其特征在于：所述第一P型层和所述第二P型层上均设置有一用于收集电荷的电容区。2.如权利要求1所述的抗静电LED芯片制备方法，其特征在于：所述电容区为电极。3.如权利要求2所述的抗静电LED芯片制备方法，其特征在于：所述电极包括设置于第二P型层上的第二电极，及设置于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓隆，王怀兵，王辉，
申请(专利权)人：苏州新纳晶光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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