The invention provides an epitaxy wafer growth method for improving the wavelength hit rate of LED, which includes the following steps: placing the substrate into MOCVD device for epitaxy wafer growth, collecting and detecting the wavelength through photoluminescence system during the growth of multiple quantum wells, and continuously adjusting the composition proportion according to the collected wavelength until the desired wavelength is reached. The beneficial effect of the present invention is to collect the wavelength in real time and adjust the wavelength in time in the process of epitaxy growth, so as to ensure the hit rate of the wavelength and improve the product quality rate.
【技术实现步骤摘要】
一种提高LED波长命中率的处理方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种提高LED波长命中率的处理方法。
技术介绍
随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用将越来越广泛。随着全球性能源短缺问题的日益严重，人们越来越关注LED在照明市场的发展前景，LED将是取代白炽灯、钨丝灯和荧光灯的潜力光源。LED照明市场发展空间广阔。LED照明灯具应用已经从过去室外景观照明LED发展向室内照明应用。LED灯能发出从红外光到紫外光任意颜色的光。而不同颜色由不同波长决定，现有的LED外延片一般在生长完成后，才通过设备对其进行波长的测量，然后进行调整下一炉的外延片波长。这样容易导致测量前外延片的报废，产品的良品率降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述的技术问题，提供了一种提高LED波长命中率的处理方法。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：一种提高LED波长命中率的外延片生长方法，包括如下步骤：S1，将衬底放入MOCVD设备进行外延片依次生长缓冲层，非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多对量子阱层；S2，在多量子阱生长过程中进行通过光致发光系统进行波长的采集检测；S3，根据S2中采集的波长进行量子阱层中的铟组分成分比例的调节。优选地，所述S3中通过温度控制来调整量子阱层中的铟组分来控制波长。优选地，所述生长方法还包括如下步骤：S4、在进行S3比例调节后，在多对量子阱层上继续生长P型氮化镓层、接触层以完成外延片的生长。本专利技术的有益效果体现在：在外延生长过程中实时的进行波长的收集，以及时进行波长的调整，从而保证波长的命中率，提高产品良品率。具体...
【技术保护点】
1.一种提高LED波长命中率的外延片生长方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，将衬底放入MOCVD设备进行外延片依次生长缓冲层，非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多对量子阱层；S2，在多量子阱生长过程中进行通过光致发光系统进行波长的采集检测；S3，根据S2中采集的波长进行量子阱层中的铟组分成分比例的调节。
【技术特征摘要】
1.一种提高LED波长命中率的外延片生长方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，将衬底放入MOCVD设备进行外延片依次生长缓冲层，非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多对量子阱层；S2，在多量子阱生长过程中进行通过光致发光系统进行波长的采集检测；S3，根据S2中采集的波长进行量子阱层中的铟组分成分比例的调节。2.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡金，王怀兵，王辉，
申请(专利权)人：苏州新纳晶光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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