温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型揭示了一种高压LED芯片，包括衬底，及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层，所述第二半导体层上沉积有透明导电层，所述芯片上刻蚀有隔离槽，所述隔离槽将芯片隔离形成三个芯片岛，所述隔离槽刻蚀至衬底，相邻所述芯片...
该专利属于苏州新纳晶光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州新纳晶光电有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。